Способ измерения поверхностных температур

Номер патента: 805273

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Баско, Грищенко, Семенец, Сушицкий

МПК: G05D 23/00

Метки: зонах, температурыв, червячной

...замыкаются контакты датчика оборотов, причем каждый из них - при достижении, определенной скорости вращения, в соответствии с настройкой. Через эти коНтакты запитываются обмотки промежуточных реле, контакты которых, замыкаясь, шунтируют добавочные сопротивления на входах обратных связей регуляторов зон. Это изменяет частоту следования импульсов в системе в соответствии с изменением динамических свойств объектов регулирования, что позволяет поддерживать требуемую точность и максимально возможную при этом надежность системы во всем диапазоне скоростей вращения червяка.На фиг. 1 представлена функциональная схема предлагаемой системы терморегулирования, а на фиг. 2 - принципиальная схема обратной связи.В материальном цилиндре 1 с...

Номер патента: 1783322

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Гайдукевич, Домаренок, Достанко, Марченко, Мороз

МПК: G01J 5/00

Метки: градуировки, излучения, объекта, пирометра, температуры

...от длины волны, но в пирометрических расчетах их обычно заменяют интегральными эквивалентами;г( Л, Т) - спектральная энергетическая светимость абсолютно черного тела, описы ваемая законом Планка, но для Л Т 3000 К мкм данная зависимость с достаточной точностью описывается законом ВинаС 2г(ЛТ) С Л Лт(10) где С 1 и С 2 - постоянные Планка;Л- длина волны излучения;Т - температура тела;3(Л) - относительная спектральная характеристика системы, характеризующая спектральные избирательные свойства всего оптического тракта; объектив, фильтры, приемник излучения, Экспериментально установлено, что относительная спектральная 25 характеристика приемников излучения, в частности видиконов, достаточно точно описывается функцией вида (3)К 2...

Номер патента: 176727

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Горбатенко

МПК: G05D 23/19

Метки: высокочастотном, нагреве, температуры

...изобретени Способ контроля0 турь деталей прииндукторах, от,гикповь:щения точносрах, близких к тоного сигнала испол5 от температуры ннндуктором перем и ре высок аюгггггг ти наг ке Кю ьзуют гтенси нного гулирования темг очастотном нагре ся тем, что, с ц рева при темпер ри, в качестве по изменение завис вности рассеивае магнитного поля ераве в ельюату- лезящеи мого одггисная гргрггга Л 5 17 Известны способы контроля и регулирования температуры деталей при их высокочастотном нагреве в индукторах по изменению электрического сопротивления деталей. Они довольно сложны в осуществлении и не обеспечивают достаточной точности нагрева при температурах, близких к точке Кюри.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в качестве полезного...

Номер патента: 509416

Опубликовано: 05.04.1976

Авторы: Горбунов, Маркевич, Степанов

МПК: B24B 51/00

Метки: зоне, температурыв, шлифования

...температуры по всей длине дуги контакта шлифоваль-. ного круга с обрабатываемой деталью, И толлещяь1 (Я) УЮ 621.9,,08(088.8) анияД 5,О 476 Цель изобретения - измерение температуры на всей длине дуги контакта шлифовального круга с обрабатываемой деталью,увеличение в связи с этим объема получаемой. информации и повышение точностиизм зрений.Это достигается тем, что в предлагаеустройстве на фланце шлифовальногоа установлена державка, На которойеплен отражатель под углом к осифовального круга, обеспечиваюший направление лучистого потока, идушего иззоны обработки через отверстие в шлифовальном круге, на приемник инфракрасно,го излучения, расположенный перпендикулярно к оси державки,На чертеже изображена схема предлагаемого...

Номер патента: 1031293

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Галяутдинов, Саинов, Хайбуллин, Штырков

МПК: G01J 5/50

Метки: импульсном, кристалла, нагреве, температуры

...воспроизнодимость измеряемой температуры, Цель изобретения - повышение точности и быстродействия способа.Поставленная цель достигается тем, что в способе определения температуры кристалла при импульсном нагреве путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве 5 10 кристалл облучают пучком электронов с энергией 30 в 1 кэВ и регистрируют изменение интенсивности одного из рефлексов элект 15 ронно-дифракционной картины наотражение.На Фиг, 1 дана схема устройствадля реализации предлагаемого способа, на фиг, 2 приведен график зависимости интенсивности рефлексаб 20 от температуры для монокристалла кр":мния на...