Сверхвысокочастотный усилитель
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, содержащий отрезок H-образного волновода, между двумя гребнями которого установлен полупроводниковый диод, отличающийся тем, что, с целью уменьшения неравномерности амплитудно-частотной характеристики, в месте установки полупроводникового диода в H-образный волновод с обеих сторон от его гребней дополнительно введены две металлические пластины, которые одними краями непосредственно закреплены на первом гребне H-образного волновода, а другими краями образуют емкостные зазоры с вторым гребнем H-образного волновода, а в емкостных зазорах установлены пластины из диэлектрического материала.
Описание
Известен сверхвысокочастотный усилитель, содержащий отрезок Н-образного волновода, между двумя гребнями которого установлен полупроводниковый диод.
Однако известный сверхвысокочастотный усилитель обладает большой неравномерностью амплитудно-частотной характеристики.
Цель изобретения уменьшение неравномерности амплитудно-частотной характеристики.
Для этого в сверхвысокочастотном усилителе, содержащем отрезок Н-образного волновода, между двумя гребнями которого установлен полупроводниковый диод, в месте установки полупроводникового диода в Н-образный волновод с обеих сторон от его гребней дополнительно введены две металлические пластины, которые одними краями непосредственно закреплены на первом гребне Н-образного волновода, а другими краями образуют емкостные зазоры со вторым гребнем Н-образного волновода, а в емкостных зазорах установлены пластины из диэлектрического материала.
На чертеже представлена конструкция предлагаемого СВЧ-усилителя.
Сверхвысокочастотный усилитель содержит отрезок Н-образного волновода 1, гpебни 2, две металлические пластины (резонатор 3), полупроводниковый диод 4, пластины 5 из диэлектрического материала и дроссельный фильтр 6.
Устройство работает следующим образом.
При подаче на вход усилителя электромагнитных колебаний СВЧ и соответствующего постоянного напряжения от источника через фильтр 6 на диод 4, им вносится в резонатор 3 усилителя динамическое отрицательное сопротивление, компенсирующее потери в рабочей полости частот, определяемой параметрами решетчатой диафрагмы. Выбором расстояния между стержнями диафрагмы осуществляется грубое формирование полосы усиления: точная настройка достигается путем изменения величины конструктивных емкостей, представляющих собой пластины 5 из диэлектрического материала. Вносимое диафрагмой полное сопротивление подключается параллельно диоду 4. Использование волновода 1 позволяет добиться оптимального согласования импеданса диода с нагрузкой и получить малый перепад полного сопротивления волновода в полосе усиления. Вне полосы усиления активные свойства диода 4 подавлены соответствующим выбором величин полного сопротивления волновода 1, нагрузки, цепей связи и установлением определенного режима питания диода 4. Использование решетчатой диафрагмы, помещенной внутри волновода 1, выгодно отличает предлагаемый диодный усилитель СВЧ от известного. В предложенном усилителе СВЧ уменьшение веса и габаритов достигается тем, что одно устройство волновод с помещенной внутри решетчатой диафрагмой заменяет два, отдельно используемых ранее: волновод и внешний объемный резонатор.
Применение волновода 1 позволяет уменьшить неравномерность амплитудно-частотной характеристики усилителя, так как у таких волноводов более широкая, чем у прямоугольного волновода, полоса частот, в пределах которой волновод может работать в режиме одного типа волны.
Рисунки
Заявка
2863700/09, 26.12.1979
Таганрогский радиотехнический институт им. В. Д. Калмыкова
Волощенко П. Ю, Волощенко Ю. П, Малышев В. А
МПК / Метки
МПК: H03F 3/60
Метки: сверхвысокочастотный, усилитель
Опубликовано: 27.12.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-882382-sverkhvysokochastotnyjj-usilitel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Сверхвысокочастотный усилитель</a>
Устройство для защиты от помех усилителя на туннельном диоде
Номер патента: 278772
Опубликовано: 01.01.1970
МПК: H03F 3/12
Метки: диоде, защиты, помех, туннельном, усилителя
...- 7, в результате чего по мере увеличения пптенсигпостп помех повышается и степень цх ослабления. Для полезных сигналов устройство рассчитывается из условий согласования источника и нагрузки, например циркулятора туннельного диода или антенного фидера и циркулятора. редмет изобретени Устройство ца туннельн щие звенья,де.Известны устройства для защиты от помех усилителя на туннельном диоде, содержащтте несколько фильтрующих звеньев, каждое из которых образовано двумя связанными между собой четвертьволцовыми отрезками разомкнутых полосковых линий и снабжено диодными ключами, которые при сильных помехах шунтируют или расстраивают резонансный контур усилителя.Однако подобныестройства относительно узкополосны и не обеспечивают достаточно...
Поглощающая пластина для сверхвысокочастотных аттенюаторов
Номер патента: 1078507
Опубликовано: 07.03.1984
Авторы: Бравер, Гарб, Николаев
МПК: H01P 1/22
Метки: аттенюаторов, пластина, поглощающая, сверхвысокочастотных
...слой, покрывающий одну из ее сторон 2.Недостатком известной пластины являются большие габариты, необходимые для реализации требуемого затухания при малом КСВН,Цель изобретения - сокращение габаритов.Указанная цель достигается тем, что в поглощающей пластине для сверхвысоко- частотных аттенюаторов, содержащей диэлектрическую подложку и резистивный слой покрывающий одну из ее сторон, на другой стороне диэлектрической подложки в ее средней части нанесен дополнительно введенный резистивный слой.На фиг. 1 показана конструкция поглощающей пластины для СВЧ-аттенюаторов; на фиг. 2 - сечение А - А на фиг. 1.Поглощающая пластина для сверхвысокочастотных аттенюаторов содержит диэлектрическую подложку 1 и резистивный слой 2, покрывающий одну из...
Поглощающая пластина для сверхвысокочастотных волноводных аттенюаторов
Номер патента: 1698921
Опубликовано: 15.12.1991
Авторы: Балдин, Наумец, Плахтий
МПК: H01P 1/22
Метки: аттенюаторов, волноводных, пластина, поглощающая, сверхвысокочастотных
...чертеже изображена поглощающаяггггастина для сверхвысокочастотных 10волноводных аттеиюаторов.Поглощагощая пластигга для сверхвысокочастотных волноводных аттенюаторов содержит диэлектрическую подложку 1 с нанесеггныыи на одну стороНу поглощающими участками 2 в видепериодической структуры. Каждыйпоглощающиг 1 участок 2 выполнен в виде трапеции, основания которой равнычетверти длины волны на верхней инижней границах рабочего диапазонадлин воли, соответственно, а ближайщие боковые стенки двух соседних трапеций параллельны и отстоят одча отдругой на расстояние 3, равное (3 - 25-5) , где 3 - толщина скин-слояраспространяющейся волны.Поглощающая пластина для сверхвысокочастотных волноводных аттенюаторов работает следующим образом,При...
Устройство для измерения амплитудно-частотной характеристики усилителя
Номер патента: 783715
Опубликовано: 30.11.1980
Авторы: Антонов, Новиков, Цветков
МПК: G01R 27/28
Метки: амплитудно-частотной, усилителя, характеристики
...вход управляемого инерционного звена 5 изменяет его постоянную времени С по законуЯ ьф,р1 , (я) Коэффициент передачи управляемого инерционного звена 5 при этом равен11 + Ъ,1Подставив в э." выражение значение из эыражени- (8), получиме т,1 о (А н )13 Яо)Иэмереннь 1 й с помощью вольтметров 2 и б коэффициент передачи исследуемого усилителя 3 и управляемого инерционного звена 5 равен произведению выражений (б) и (9). К(Я, ) - К (Ь, ) К.=1+(А, РПриравняв значения коэффициента усиления К (д) усилителя (1) и коэффициента передачи предлагаемого устройства (10) К (оаэи), найдем соотношение между частотами Ы и ц)ц при К (ц = К,к(Ы ) -АО-. (11) Иэ выражейия (11) следует, что ч Р Если величина А не слишком мала,то амплитудно-частотная...
Сверхвысокочастотный усилитель
Номер патента: 1807552
Опубликовано: 07.04.1993
Авторы: Горбатов, Семенов, Усанов
МПК: H03F 3/55
Метки: сверхвысокочастотный, усилитель
...динамического д ля. Для достижения пос усилителе, содержащем вол новодно-коаксиально Ганна, подключенный пар сатору к центральному пр ала, через разделитель подключен палосно-пропу настроенный на субгар частоты Ьо/4, полоса пр рого удовлетворяет 1 н/4о/41 в/4, где о. - 1 н и 1 в - нижняя и верхня усиления, соответственно технических устСущность: целью личение верхней апазона усилитезвленной цели в становленный впереходе диод ллельно конденоводнику коаксиыо. /ктор И.Мус акта аказ 1384 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретеням и открытиям при ГКНТ113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5, ул,Гагарина, 101 анно.здательский комбинат "Патент", г. Уж роизв значения динмичес .ого диапазона посравнению с прототипом не...
Предыдущий патент: Электроизмерительный прибор и устройство для его проверки
Следующий патент: Способ гофрирования металлических труб
Случайный патент: Съемный надувной тубус