Способ размерной обработки алмазного инструмента

Номер патента: 677903

Опубликовано: 05.08.1979

Авторы: Виноградов, Гринин, Дорофеев, Ящерицын

МПК: B24B 53/00

Метки: алмазных, зерен, инструментов, ориентации, режущих

...эффективности ориентации режущих зерен готовых алмазных инструментов.Это достигается тем, что перед обкатываниемроликом режущие зерна алмазных инструментов 1вскрывают на определенную величину. Вскрытие способствует благоприятной ориентации большого количества режущих зерен при их утнпливании в связку накатным роликом.Ориентация режущих зерен прогрессирует с" 21увеличением их вылета и над уровнем связки,Однако величина вскрытия зерен не должна пре.вышать средневероятное расстояние между эер., В, Д. Дорофеев и П. И. Ящерицын нами в глубине абразивного слоя инструмента,0,0 О 5Чкагде Ь - величина вскрытия алмазных зерен;А - средний размер зерен, мкм; К, - концентрация алмазов в абразивном слое, %.В противном случае, при утапчивании...

Номер патента: 715642

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Богатырева, Крук, Сохина

МПК: B24D 3/06

Метки: алмазно-абразивного, алмазных, инструмента, подготовки, порошков

...в инструменте и приделяя в магнитную фракцию зернас удельной водит к оольшим потерям алмазовпри магнитной восприимчивостью более ЦО 10"асма/г последующей химической обработке, что . Магнитную фракцию дробят, например на вал-подтверждается данными, приведенньвй ковой дробилке, до крупности 10050 мкМ.в табл. 1,Таблица 1 Крупностьпосле дробления, мкм Удельная магнитная восприимчивость 10 а смз/г Потери при химической обработке, % до химичес- после химическокой обработки обработки 120125 0,03100 0,03 65 700,30 30- бЗ 21 1,50 дят при напряженности магнитного поля 1,7;1,8; 2,5 и 5 кЭ. Напряженносп магнитного поля, кЭ иод магнитной фракцииот исходной мысы порош дельная магнитная оспривмчивость выеленной магнитной ракции, 10"6 смз/г ка 7...

Номер патента: 784680

Опубликовано: 30.01.1982

Автор: Летохов

МПК: H01S 3/02

Метки: газа, излучением, лазерным, фотодиссоциации

...газ 0 АВ+АЯ подвергают одновременному воздействию двух лазерных излучений различных частот ю, и а.На фиг, 1 представлены спектр поглощения молекул полиизотопного газа (а) и схема их энергетических уровней (б). Частота в соответствует спектральной линии поглощения молекулы "АВ, содержащей выделяемый изотоп фА. Поглотив квант излучения с энергией Ьамолекула дАВ переходит из основного состояния с энергией Е, в возбужденное состояние с энергией Е,. Частота второго лазерного излучения о меньше порога фотодцссоциации невозбужденных молекул АВ, но больше порога диссоциации возбужденных молекул цАВф. Поглощение возбужденной молекулой АВф кванта Лв, вызывает ее диссоциацию. ь 1 астота со, выбирается в области сдвига фотодиссоциационной полосы...

Номер патента: 1484593

Опубликовано: 07.06.1989

Авторы: Гайдуков, Измайлов, Ковалев, Малышев

МПК: B23Q 15/00

Метки: процессом, станках, токарных, чпу

...(Х,1 У ),(Х У) (йнг.5).Затем вместо эталона в шпиндель5 устанавливают заготовки и послемеханической обработки каждой из них45подводят по программе лазерный лучк измеряемому сечению и снимают показания Х, пересчитывая его похарактеристике прибора в отклоненииУ размера, от номинала по формуле,выражающей линейность характеристикимежду точками (Х У, ), (Х, У) которой не превышает требуемой точности измерений. Диаметр эталона может отличаться от номинального размера диаметра с 1. Усредненная величина .этого отклонения +щ записывается5 оператором в память ЭВМ. Если размер, эталона больше номинального, величина этого отклонения положительна +ш, иначе отрицательнаяш, Ь процессе измерений эталон не заменяется, Палету подают к токарному...

Номер патента: 942502

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Васильева, Косарев, Кузелев, Майоров

МПК: G01N 23/08

Метки: вычислительной, радиационной, томографии

...сканирует слой иссле,уемогс изделия по за-. делие излучение, получают сигцлль,предстлвляощие собой величицпогло -щения излучения исследуеььь изде 1 ием по указанной совокупности трлекторий, обрабатывают полученные сигналы в ЭВМ и производят восстлцов.ееНеизображения слоя исследуемого изделия, облучение изделия производятплоским пучком, ширина ксгорого цомень 1 ией мере равна наибольшему лицейному размеру исследуемого сл эя рзделия, регистрацию прошедшего черезизделие излучения производят с омоцью протяженного детектора, изменяют ширину пучка первичного илп прошедшего через изделие излучецря в диапазоне межпу шириной пучкл, со - ответствуняией нлибэольиеыу срцейному ра.меру исследуемогс слоя, и лдянной мицимальной шириной Еучкл, це...