Описание

1. Композиционный материал, содержащий основу из палладия и нанесенный на нее плакирующий слой, выполненный из сплава палладия с индием в виде различных фазовых слоев следующего состава (от поверхности к основе): PdZn, Pd2Zn, Pd3Zn, твердый раствор индия в палладии, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических свойств, основа дополнительно содержит железо.
2. Материал по п.1, отличающийся тем, что составляющие компоненты взяты в следующем соотношении, мас.%:
Железо - 0,1 - 20
Палладий - Остальное
3. Материал по п.1, отличающийся тем, что основа дополнительно содержит легирующий металл.
4. Материал по пп.1 - 3, отличающийся тем, что в качестве легирующего металла используют любой из группы: кобальт, молибден, вольфрам, а составляющие компоненты взяты в следующем соотношении, мас.%:
Палладий - 80 - 99,8
Легирующий металл - 0,1 - 19
Железо - Остальное
5. Материал по пп.1 - 3, отличающийся тем, что в качестве легирующего металла используют любой из группы: ванадий, хром, марганец, ниобий, тантал, при следующих соотношениях компонентов, мас.%:
Палладий - 80 - 99,8
Легирующий металл - 0,1 - 8
Железо - Остальное
6. Материал по п.1, отличающийся тем, что основа дополнительно содержит тугоплавкий металл из группы: рений, родий, рутений, иридий, осмий, при следующих соотношениях компонентов, мас.%:
Палладий - 80 - 99,8
Тугоплавкий металл - 0,1 - 10
Железо - Остальное
7. Материал по пп. 1 - 6, отличающийся тем, что толщина фазового слоя PdZn составляет 50 - 90% толщины плакирующего слоя.

Заявка

3486252/27, 14.09.1982

Институт электрохимии Уральского научного центра АН СССР

Илющенко Н. Г, Шуров Н. И, Митрофанова Т. Л, Старцев Б. П, Клюева И. Б, Коробицын Б. И, Зарапин Ю. Л, Бычков Е. М, Куранов А. А, Тимофеев Н. И, Пальгуев Е. В, Анфиногенов А. И

МПК / Метки

МПК: B23K 20/00

Метки: композиционный, материал

Опубликовано: 20.09.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1077153-kompozicionnyjj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Композиционный материал</a>

Похожие патенты