Патенты с меткой «вкристаллизатор»

Устройство для подачи металла вкристаллизатор установки непрерывнойразливки

Загрузка...

Номер патента: 793703

Опубликовано: 07.01.1981

Авторы: Гирский, Сахнов, Мурасов

МПК: B22D 11/106

Метки: металла, вкристаллизатор, подачи, установки, непрерывнойразливки

...шарнирно на опорах 9 с осью поворота 10, расположенных вне кристаллизатора, обеспечивающих поворот устройства в ту или иную сторону при регулировании подачи металла по литниковым каналам 2 в кристаллизатор 11.При посадке разливочного ковша 12 наустройство уплотнительный узел обеспечивает герметизацию рабочей зоны разливки металла из разливочного ковша 12 в воронку 3.Амортизаторы 6, поджимая нож-экран 4с уплотнительным узлом к ковшу 12, обеспечивают герметизацию рабочей зоны разливки металла из ковша 12 в воронку 3 приповороте устройства в ту или иную сторону. Амортизаторы б не препятствуют повороту устройства в ту пли иную сторону при регулировании подачи металла по литниковьм апалам 2 в рсталлзатор 11. 511 о-эк 1)а 4 ыоне в виде олой...

Устройство для подачи металла вкристаллизатор непрерывного литья

Загрузка...

Номер патента: 833370

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Жельнис, Добровольскис, Марукович, Баранов, Машков, Пивоваров, Анисович, Бевза

МПК: B22D 41/54

Метки: подачи, вкристаллизатор, непрерывного, металла, литья

...стенки стакана, приводит к снижению его прочности и возникновению значительных термических напряжений. Напряжения, обусловленные различием коэффициентов термического расши-рения .материалов слоев стакана, явля- ются причиной разрушения последнего;Наружный слой получают из жаростойкого сплава, способного работать при температуре равной 900-1000 С. Слой создает остаточные напряжения сжатия на поверхности окисного слоя стакана, Наложение остаточных напря жений сжатия окисного слоя и рабочих термических напряжений обеспечивает упрочнение стакана в рабочих условиях. Толщина наружного слоя составляет 0,1-0,5 толщины стенки ста кана. Более тонкий слоя не способен создавать необходимых напряжений, Более толстый слой не влияет на ха, рактер...