Здыбель

Номер патента: 1201021

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Здыбель, Калужский, Марченко

МПК: B21D 5/06

Метки: гнутых, профилей

...подгибки боковых стенок 1 и 2 в валках 3 и 4 клетей 1-Х профилегнбочного стана. При этом гибку ведут с сохранением постоянной на всех переходах величины контакта Ь горизонтальной стенки 5 с нижним валком 3 и равной 99 мм с учетом пружинения мест 7 и 8 изгиба. Угол подгибки .; боковых стенок 1 и 2 принимают по перехода 1 ф равным 8, 18, 30, 44, 58, 70, 80, 88, 90 о Величину контакта Ь горизонтальной стенки 5 профиля с верхним валком 4 определяют по зависимости ф и 2 Ы2 фгде Я - толщина заготовки;Ю; - суммарный угол,подгибки в-.й клети.Так, для клети 1 У Ьь = 99-2 5 х х 18 30/2 = 96,32 мм.Радиус мест 7 н 8 изгиба может быть выбран:постоянной величины, равный радиусу готового профиля, либо радиусу в. чистовой клети; переменной...

Номер патента: 969365

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Березовский, Герасько, Гробин, Здыбель, Калужский, Стрюк, Тришевский, Хижняков

МПК: B21D 5/06

Метки: валок, профилегибочного, стана

...в горизонтальном направлении вдоль оси вала во время работы на угол 2 Ы, а конусные поверхности боковых дисков входят в выбранное пространство 21 между валом и центральными дисками и удерживают на постоянном расстоянии центральные диски 1 от сопри. косновения с валом 2.Цилиндрические пружинные элементы 3, установленные между центральными дисками 1, дают .воможность при увеличении усилия со стороны полок а и Ь возвращать их в исходное вертикальное положение и стабилизировать зазор 1 между полками а и Ь.Дисковые пружинные элементы 5, установленные за боковыми элементами, уравновешивают изгибающие моменты и производят самоустановку профиля б в растворе калибра валка в клети профилегибочного стана.В процессе профилирования замкну" тых...

Номер патента: 775108

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Ганзюк, Здыбель, Силин, Тельнов, Фетисов, Халатурник

МПК: C08J 7/02

Метки: облоя, удаления, фенопластов

...с водой. Содержание Температура ф диметилформамида, Ъ вспиаки, оС100 5995 б 3 90 бб80 72аботанные изделия обладают слеэлектрофизическими параметраУдельное поверхностноеэлектрическое сопротивление, ОмТангенс диэлектрическихпотерь при 10 ГцДиэлектрическая проницаемость при 10 ф ГцДанные исследования кинети степени набухания облоя из пл,компонентов набухания, смеси, % цС Степень Время удалениянабухания, % облоя, мин 2,10 2,40 90 з 10 80 з 20 45 45 30 30 Формула изобретенияСпособ удаления облоя с деталей иэ фенопластов механическим путем, о т л .и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повьааения производительности труда, детали иэ Фенопластов выдержи,вают в .смеси диметйлФормамида с водой при.весовом соотношении 8-9 : 1-2 соответственно при...