Янутш

Номер патента: 1673832

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Бачевский, Воскобойник, Гаскевич, Гращенко, Запорожец, Киркиченко, Чигирев, Янутш

МПК: G01C 11/04

Метки: прибор, стереофотограмметрический, универсальный

...схема субкронтроллера 93приведена на фиг.6.Субконтроллер содержит стандартный интерфейсный блок 94 для сопряжения с магистралью 91 ЭВМ, регистр 95 операций, выполненных блоком 4 (фиг.1) параллельно обработки, регистр 96 временных интервалов, в течение которых действенны операции, выполняемые блоком 4, дешифратор 97 кодов операций, записанных в регистр 95, программируемый таймер 98 с триггером 99, ключи 100, 101, управляющие подачей напряжений О 1, 02 на источник 60 света для считывания изображений с ПВМС 56 и на источник 59 света для стирания изображения. Ключи 102 - 104 для коммутации через схему ИЛИ 105 напряжений +Е, -Е "земля" на ПВМС 56. Ключи 106 - 108 для коммутации через схему ИЛИ 109 напряжений +Е 1, -Е 1...

Номер патента: 1647696

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Гитин, Захаров, Федоров, Янутш

МПК: H01J 31/24

Метки: изображения

...поляроиды 3, отражающую светомодулирующую ЭЛТ с мишенью 4, а также экран 5, ось которого параллельна оси источника излучения и симметрична ей относительно оптической оси проекционного обьектива;Устройство работает следующим образом.Излучение от источника 6, включающего лампу ДКСШи зеркальный конденсатор, собирается в точке Еоб фокальной плоскости проекционного объектива 2, образуя в этой точке точечный источник 1 излучения. Точка Гоь смещена относительно оптической оси объектива 2 нарасстояние Л = Я гц а, где 8- расстояние между мишенью 4 ЭЛТ и проекционным объективом 2; а- угол падения пучка на ЭЛТ. Затем излучение коллимируется частью объектива 2 и происходит через поляроид 3. На мишень 4 отражающей ЭЛТ типа ТИТУС посылается...

Номер патента: 1490666

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Гитин, Федоров, Янутш

МПК: G03B 21/00

Метки: проекционное

...уменьшается пропорционально распределению интенсивностисвета в изображении. При этом носители заряда перемещаются к диэлектрическому зеркалу 6, на котором образуется заряд, пропорциональный экспозиции. В результате на поверхности кристалла 7 образуется потенциальный рельеф, который вызывает иэ 50менение геометрических или оптических свойств материала вследствиелинейного продольного электрооптического эффекта (эффекта Поккельса),При падении считывающего излученияна кристалл 7 происходит модуляцияизлучения по амплитуде и фазе, Каналсчитывания восстанавливает модулированное изображение объекта 15 и проецирует его на экран 14, В канале считывания свет от источника 10 отра- жается зеркальным конденсором 11 и через отверстие (секторный...