Вениг

Номер патента: 1479976

Опубликовано: 15.05.1989

Авторы: Вениг, Семенов, Усанов

МПК: H01P 1/15

Метки: диодом

...при этом вход ключа-формирователя подключен к источнику управляющего сигнала, межпу выходом ключа-формирователя и третьим источником питания включен второй переменный делитель, выход которого подключен к базе третьего транзистора, эмиттер которого подключен к третьему источнику питания, а коллектор - к рп-диоду. Составитель А, НаровТехред Л.Сердюкова Редактор А, Огар Корректор В.Бугренкова Заказ 2548/49 Тираж 616 Подписное ВНИИНИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул, Гагарина,101Изобретение относится к радиоэлектронике, может быть использованодля управления рп-диодами и является усовершенствованием...

Номер патента: 1191996

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Вениг, Коротин, Усанов

МПК: H01P 1/15

Метки: диодным, прибором

...прямого и обратного смегцения 2 и 3 к базам первого и второго транзисторов 4 и 5, эмиттеры которых подключены соответственно к первому и второму источникам питания 6 и 7, а колекторы - к р 1 п-диоду 8. Формирователь импульса обратного смешения выполнен в виде одновибратора с регулируемой КС-цепью, выход которого подключен к базе второго транзистора 5 через переменный делитель напряжения 9.Способ управления р 1 п-диодным прибором осуществляется следующим образом.При подаче на р 1 п-диод 8 импульса прямого смещения носители заряда инжектируются в 1-области р 1 п-диода 8, образуя в ней повышенную концентрацию электроннодырочной плазмы. При подаче на р 1 п-диод 8 импульса обратного смещения происходит рассасывание накопленного заряда,...