Шилак

Номер патента: 1390583

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Горбаш, Кожаринов, Кожаринова, Шилак

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитных, полей, рассеяния, регистрации

...поле рассеяниядефекта 6), помещают верхнюю частьпластин 3 в магнитное поле соленоида 4,в котором изменяют ток подмагничивания с прмощью блока 7 питания ификсируют с помощью блока 8 измерениякривую зависимость сигнала МЧЭ 1 от35тока подмагничивания соленоида 4(фиг.2), Поскольку магнитная прони"цаемость р пластины 3 иэ магнитомягкого материала очень сильно и вшироких пределах зависит от поля подмагничивания, вызванного как магнитным полем рассеяния дефектов, таки магнитным полем соленоида 4, тои ход кривой зависимости сигнала МЧЭ451 от тока подмагничивания соленоида 4 будет для дефекта 6 с различнойгеометрией различным. Причем начальное положение кривой по оси ординат(фиг. 2) в основном определяется шириной дефекта (экспериментальные...