Пурто
Модель дыхательных путей
Номер патента: 321841
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Залманзон, Карсов, Никитин, Петере, Пурто, Чуткий
МПК: G09B 23/28
Метки: дыхательных, модель, путей
...частиц аэрозоля в дыхательных путях человека в зависимости от характеристик дыхания и параметров аэрозоля, а именно к моделям дыхательных путей.Известны модели дыхательных путей, содержащие воздуховоды, герметичный кожух со штуцерами для отбора проб аэрозоля и присоединения к устройству, создающему попеременно положительное и отрицательное давления. Недостатком известных моделей является сложность как их конструкции, так и процесса измерения осаждения частиц радиоактивного аэрозоля.Предлагаемая модель отличается от известных тем, что воздуховоды выполнены в виде сочлененных плоскими сторонами и подогнанных друг к другу дисков с системой разветвленных отверстий различной длины и диаметра, причем диски или часть каждого из цих...
Молекулярный генератор
Номер патента: 205988
Опубликовано: 01.01.1967
Автор: Пурто
МПК: H01S 1/06
Метки: генератор, молекулярный
...генератора.Предложенный молекулярный генератор увеличивает область усиления и генерирования, расширяя ее в область субмиллиметровых и инфракрасных длин волн.Предмет изобретенияМолекулярный генератор, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона частот генерации электромагнитных волн, он Известны методы сортировки молекулярного пучка по уровням энергий, основанные на статических методах с использованием многопольных электрических или магнитных линз, кольцевых конденсаторов и др, Основным не достатком электростатической селекции является то обстоятельство, что она ограничивает класс веществ, пригодных для целей молекулярного усиления и генерирования, ограничивает область генерирования в области высо ких частот.Предложенный...
Электронно-лучевая запоминающая трубка
Номер патента: 119712
Опубликовано: 01.01.1959
Автор: Пурто
МПК: G11C 11/23
Метки: запоминающая, трубка, электронно-лучевая
...импульс в (7, то вследствиетого, что емкость между поверхностью пленки и керном много большеемкости между этой поверхностью и коллектором, на поверхности диэлектрика будет почти тот же отрицательный импульс - (l,. Электроныбудут попадать на потенциалоноситель с малой скоростью и коэффициент истинно-вторичной эмиссии будет меньше единицы, вследствие чегосоответствующий элемент поверхности примет потенциал катода - ЬПосле исчезновения импульса из-за емкостной связи потенциал поверхности пленки увеличитс на Ьи станет равным нулю.Таким образом, после соответствующей развертки записывающеголуча, на поверхности диэлектрика окажутся элементы с двумя стабильными состояниями в зависимости от напряжения на сетке 2, причем нулю на сетке 2...