Подкатов

Номер патента: 1386004

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Быстрицкий, Красик, Подкатов, Синебрюхов, Толмачева

МПК: H05H 9/00

Метки: ионов, ускоритель

...Б - площадь контакта плазмы с электродом 7; е - заряд электрона; гп ш- соответственно массы ионов и электронов), ивблизи спирального электрода 7 произойдет разрыв плазмы 12 с формированием двойного слоя. Процесс разрыва плазмы 12 с дальнейшим возрастанием двойного слоя сопровождается генерацией вихревой ЭДС, которая соответственно появляется между анодом б и катодом 5 диода, Под действием возникшей в диоде разности потенциалов, имеющей порядок 10 В, из имеющейся на поверхности анода 6 плазмы 13 (созданной к этому времени каким-либо способом,. например, пробоем по поверхности) будет вытягиваться ионный пучок 14, движущийся к катоду 5, прозрачность которого Ттес(, где с угол захода спиралей электрода 7 плазменного размыкателя 8....

Номер патента: 638221

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Быстрицкий, Красик, Подкатов, Толмачева

МПК: H05H 5/00

Метки: ионная, пушка

.... дгде а. - диаметр анодной диэлектрическои вставки 5. К торцу 7 крепится диэлектрический колпак 8, служащий для подавления эмиссии электронов с основания катода, и катодцая диэлектрическая вставка 9, обеспечивающая нейтрализацию объемного заряда ионов, движущихся внутри катода 7. Катодная диэлектрическая вставка 9 выполнена в ви де цилиндра с радиусом основания Ри высотой й, Одним из оснований она крепится к диэлектрическому колпаку 8, а высота ее выбрана равной длине отрезка, ограниченного точками пересечения оси катода с плоскостью, проходящей через мень 35 40 45 50 55 50В) 34 КУю-/й,где К - масштабный фактор, К = 2;д - зазор между анодом и катодом, см, Ую -- напряжение, приложенное к диоду, ЧВ,В - напряженность магнитного...

Номер патента: 795421

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Быстрицкий, Красик, Подкатов

МПК: H05H 5/00

Метки: отражательный, триод

...зубцов /г и их количеством и, подобраны в соответствии с подводимым к ОТ напряжением таким образом, что величина с//(/г и) заведомо меньше значения предельно допустимой напряжецности электрического поля по поверхности диэлектрика. Эта напряженность принята равной 30 кВ/см, исходя из 4большого статического набора данных по исследованию поверхностного пробоя диэлектрика импульсами высокого напряжения,В результате за счет пробоя только поплоской поверхности анода 2 высоковольтное напряжение У оказывается приложенным к проводящему слою металла 3. Под действием этого напряжения электроны 8, эмиттируемые с поверхности катода 4, ускоряются в сторону анода 2, совершают многократные колебания, проходя через центральное сквозное отверстие, и...

Номер патента: 702938

Опубликовано: 07.07.1981

Авторы: Быстрицкий, Красик, Лопатин, Подкатов

МПК: H05H 5/00

Метки: ионов, коллективный, ускоритель

...и атент", л.проектная,4 филиал ПП г.ужгород 3 " . 7029род разрядника соединен с к"орпусомускорителя, а поджигаеций электродс источником высоковольтных импульсов.На чертеже изображен коллективныйускоритель ионов,Он содержит источник 1 высоковольтных импульсов, катод 2, анод, состоя 5щий из двух комплаиарных металлических дисков 3,4 и-ЮэЯектрйческого диска 5, расположенного между нйми, разрядников 6 (например, двух)высоковольтные электроды 7 которых Осоединены с диском 3 анода, а вторыеэлектроды 8 - скорпусом 9 ускорителяПоджигающий электрод 10 соединен с -источником -высоковойьтных " ймйульсов (на чертеже не"показан). 15Ускоритель работает следунцим образомПри поступлении на катод 2 вйсо- ковольтного импульса от источника 1электронный...

Номер патента: 702985

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Подкатов, Рябчиков, Чистяков, Яловец

МПК: H01J 49/00

Метки: пучказаряженных, сильноточного, спектрометр, частиц

...во внимание при экспертизе1, Герасимов А. И, ПТЭ, М 3, 1971,с. 31.2, Дер 1 обузов К, А. и др, ПТЭ, Мо 1,1975, с, 25 (прототип) агсь 1 и - (8 с - "2 дЬл10При таком, расположении пластин пучокзаряженных частиц падает на пластиныодного из блоков под углом к их поверх-,ности, что приводит, во-первых, к возрастанию ( в сравнении с нормальнымпадением пучка) доли частиц, отраженных вследствие процессов многократногорассеивания, во-вторых, к уменьшениюплотности падающего на поверхностьпластин потока. частиц. Увеличение долиотраженных частиц при падении частиц .под углом к поверхности пластины и уменьшение плотности падающего тока за .счет геометрического фактора приводитк уменьшению плотности поглощаемой в 25пластинах энергии, Наличие...

Номер патента: 605480

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Быстрицкий, Красик, Подкатов, Толмачева, Усов

МПК: H01J 37/08

Метки: ионная, пушка

...игпьькатоде вйпопнены выоНа чертеже схематично изображена предпагаемая ионная пушка.В сопеноид 1 помещен отражательный триод 2, состоящий из высоковопьтного ввода 3, на котором укреплен анодвы попнепный из двух метаппических дисков 4 и 5 и закпюченной между ними прокпад:- ки 8 из водородсодержащего материапа с отверстиями, с внутренней поверхности которых Введены игпы 7, В катоде, выпоп- О ноннОМ В Виде метаппическОГО диска 8 с выступами 9, имеются отверстия, Причем форма Выступов и отверстий в катоде повторяет форму и распопожен 1 ле отверстий в анодном бпоке. 15Ионная пушка работает спедующим образом.При подаче попожитепьного высокоВопьтного импупьса на анЬД и одновременно с подачей импульса тока на сопенопд 1 20 по внутренней...