Петюшин

Номер патента: 454526

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Кольцов, Мозжухин, Никольский, Петюшин

МПК: G03C 1/70

Метки: негативный, фоторезист

...пленкообразующей компоненты в состав фоторезпста вводить эпоксидную смолу дифенолпропанового ряда с температурой размягчения 50 - 150 С и мол. в. 800 - 9000 прп следующем 10 количественном соотношении исходных компонентов, вес.%; смола 6 - 20; бисазидный фото- инициатор 0,5 - 3,5; растворитель (диоксан+ +циклогексан) 20 - 80.Негативный фоторезист предлагаемого со става обеспечивает отличную адгезию к металлам, полупроводникам и диэлектрикам (Сг, А 1, Сц, Ад, Я, 510, 510, СтаАз и др.), химическую стойкость к щелочам и азотной, соляной, серной, плавпковой кислотам. С псполь зованием этого фоторезпста получены негативные изображения размером 2 мкм с клином проявления 0,1 - 0,5 мкм (толщина пленки фоторезиста около 0,5 мкм) при минимальном...