Мурмужев

Номер патента: 1566297

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Мурмужев, Трифонов

МПК: G01R 21/06

Метки: измеритель, мощности, сверхвысокочастотный

...При этом при работе в резонансном режиме обеспечивается увеличение вольтваттной чувствительности.Частотная характеристика также можетрегулироваться выполнением одной изграней ДР под углом Брюстера, так какв этом случае имеет место волноводный режим работы ПАТЭ 2 с поглощением мощности как в ПАТЭ 2, так и в по"глощающей нагрузке 4. Установка ПАТЭ2 под углом Брюстера к продольнойоси ДВ позволяет уменьшить отраженную мощность, т,е. увеличить вольтваттную чувствительность измерителямощности,СВЧ-измеритель мощности работаетследующим образом,Волна Е , распространяющаясяпо волноводу 1, поступает в ПАТЭ 21При выполнении к оси ДВ длина ПАТЭ2 выбирается из условия возбужденияв нем резонансного типа колебанияи Лср 4.101 = --- - = --- - = 4 5...

Номер патента: 1356058

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Гигоян, Дьяченко, Мурмужев

МПК: H01P 1/32

Метки: невзаимное

...является увеличение обратных потерь, расширениеполосы рабочих частот и уменьшениегабаритных размеров. Устр-во содержит отрезок 1 диэлектрического волновода, отрезок 2 ферритового волновода, металлическую пластину 3,поглощающую нагрузку 4, магнитнуюсистему в виде постоянного магнита 5Поглощающая нагрузка 4 выполненаП-образной, торцовые грани отрезка2 ферритового волновода расположеныпод углом у к боковой грани отрезка1 диэлектрического волновода. Выборугла у позволяет устранить возбуждение обратной волны в отрезке 1. Боковые грани отрезка 2, к которымвплотную примыкает магнит 5, играютроль зеркала, которое направляет излученный с отрезка 2 сигнал обратнойволны под строго определенным угломк внутренней поверхности поглощающей нагрузки 4,...

Номер патента: 1305801

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Есоян, Мериакри, Мурмужев

МПК: H01P 3/16

Метки: волновод, диэлектрический

...схемах,Целью изобретения является расширение рабочего диапазона и подавлениепаразитных гармоник за пределами рабочего диапазона,На чертеже представлен диэлектрический волновод. 1 ОДиэлектрический волновод содержитдиэлектрическую подложку 1 и диэлектрический стержень 2, установленный впазу подложки и полностью заполняющий его, На поверхностях диэлектрической подложки 1 размещен поглотитель 3.Волновод работает следующим образом.По диэлектрическому стержню 2 рас пространяется поверхностная волна, поле которой экспоненциально спадает вне диэлектрического стержня 2. Диэлектрическая подложка 1 выполнена из композиционного диэлектрика с диэлектрической проницаемостью е, состоящего из частиц наполнителя со средним диаметром Й и...

Номер патента: 1278998

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Мериакри, Мурмужев, Сивов

МПК: H01P 3/16

Метки: волновод, диэлектрический

...и распределение поля по поперечному сечению диэлектрического волновода. фориула изобретения Диэлектрический волновод, содержащий диэлектрический стержень и металлическую подложку, отличающийся тем, что, с целью расширения полосы рабочих частот, металлическая подложка выполнена в виде часто- периодической гребенки с периодом р (О, х хЛв, где Лв - минимальная длина волны рабочего диапазона, и высотой и, удовлетворяющей неравенству 0 агс 1лнгде Лн - максималго диапазона,рическая проницаерического стержндиэлектрического стопериодической гтопериодическойподложки, и входи пав+ 2 (1 - Ег)- д) 2 п(2 - д) Уора электри- металличесСоставитель С.Техред И. Вере Тираж 597ВИИИПИ Государственногопо делам изобретений113035, Москва, Ж - 35, Рау илиал...

Номер патента: 1022606

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Мериакри, Мурмужев, Пархоменко, Рез, Ушаткин

МПК: H01P 1/375

Метки: вентиль, свч

...поглощающей нагрузкой 7 и диэлектрическим вкладышем 3. К входному 1 и выходному 2 согласующим элементам подведены -ходная 9 и выходная 10 линии пере 1 ачи СВЧ энергии, Диэлектрический вкладыш 3 выполнен из двулувый вкладышии всесогласующие элементы выполнены ввиде соприкасающихсяпластин с одинаковой площадьюповерхности.,чепреломляющего кристалла, а поглощающая нагрузка 7 - из дихроичногокристалла. Поглощающая нагрузка, диэлектрический 3 и ферритовый 5 вкладыши и все согласующие элементы 1,2, 4, 8 могут быть выполнены, какпоказано на чертеже, в виде соприкасающихся пластин с одинаковой площадью поверхности,СВЧ вентиль работает следующим об.разом.Прямая волна с вертикальной поляризацией электрического поля Е свходного согласующего...

Номер патента: 807413

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Мериакри, Мурмужев

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатор

...диэлектрической подложки 3, и установленный между ними с возможностью перемещенияотносительно диэлектрических волноводов 1 и 2 регулирующий элемент с поглотителем, при этом концы соосных ди.электрических волноводов 1 и 2, обраценные друг к другу, выполнены соскосами, а регулирующий элемент выполнен в виде дополнительного диэлектрического волновода 4, который имеет омический контакт с обращенными друг к другу концами соосных диэлектрических волноводов 1 и 2 и установлен на одной стороне дополнительно введенной диэлектрической подложки 5, при этом на других сторонах диэлектрических подложек Э и 5 размещен поглотитель б.Устройство работает следующим образом.При поперечном перемещении регулирующего элемента осуществляется смещение...

Номер патента: 792361

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Мельников, Мериакри, Мурмужев, Саламатин

МПК: H01P 1/18

Метки: фазовращатель

...по Одной из боковыхповерхностей в случае использования .прямоугольного йли трапецеидальноговолноводов, иЛи жеточечный контактслучае исполь 1 оВания круглого, эллиптического или треугольного волноводов.Целью изобретения является расширение динамическогО диапазЬна измененияфазы на единицу Длины и уменьшениягабаритных размеров фазовращателя.Поставленйая цель достигается тем,что пластина вь 1 полнена из металла.Кроме того, профильный вырез пластины повторяет форМу и размер поперечного сеченйя Диэлектрического волновода.На чертеже представлена конструкцияпредлагаемого фазОвращатеЛя.фазовращателв Ьодержитдиэлектрический волновод 1 й виде прямоугольного,треугольного, полукруглого, эллиптического или трапецеидального полоска, закрепленного в...

Номер патента: 657487

Опубликовано: 15.04.1979

Авторы: Мельников, Мурмужев, Саламатин

МПК: H01P 3/16

Метки: волны, изменения, направления, поверхностной, распространения

...и выступает за егопределы по ширине на расстояние не менее двух, трех волн и может быть легкоприкреплена непосредственно к подложке,Края металлической пластины 3 по торцам плавно загнуты вверх для согласования. Нижняя часть металлической пластины 3, контактирующая непосредственнос изогнутым отрезком 1, для уменьшенияпотерь в металле посеребрена ц отполирована,з 1 В 14/51 Тираж 922 ЦНИИ ПИ Государственног по делам изобретени 113035, Москва, Ж, РаПодписикомитета СССРи открытийская наб. /, д., 4 филиал ППП "Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Размеры изогнутого отрезка 1 выбираются из условия обеспечения одноволнового режима в заданном, диапазоне частот. Поперечные размеры подложки 2 выбираются из условия малости поля на ее...

Номер патента: 639054

Опубликовано: 25.12.1978

Авторы: Мельников, Мурмужев, Саламатин

МПК: H01P 1/24

Метки: локальной, направленный, ответвитель, связью

...боковой поверхности ц частично закрываюгцая 0051 а ст ь р 1 3 В ст ВТ 1 с и ц 51.11 а чертеже изображено предлагаемое ус гройство.1-1 аправлсцпый Ответвцтель с локальной сязю со:.1 ер 5 кцт подложк 1, Выполненную из диэлектрика, в углубление которой помещена полоска 2, полоску 3 цз диэлектрика, а также У 1 еталлцческ,ю пластину 4, наложенну:о В месте пересечения полосок 2 ц 3.Устройство работает следующим образом.Распростраця 1 оц 111 яся по полоске 2 электромагнитная волна В месте нахождения металлической пластины 4 встречает плавную неоднородность. Чет 11 ллцческая пластина 4 плавно увеличивает эффективную диэлектрическую проницаемость той части диэлектрического волцовода, которая находится под ней. Фронт поверхностной волны в...

Номер патента: 637900

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Вашковский, Зубков, Кильдишев, Мурмужев

МПК: H01P 9/00

Метки: задержки, линия, сверхвысокочастотная

...у противоположных торцов ферритовой пластины Е 1,Однако известное устройство имеетмалое время задержки, кроме того,в нем возбуждаются паразитные резонансы.Цель изобретения - увеличениевремени задержки и устранение паразитных резонансов.Для этого в сверхвысокочастотнойлинии задержки на ферритовой пластине размещена дополнительно введеннаяплоская металлическая спираль, ширинаи шаг которой кратны половине длиныповерхностной магнитостатической волны, причем начало и конец металлической спирали расположены непосредственно у коаксиальных антенн, которые ус"тановлены по диагонали пластины, причем часть торцов ферритовой пластины,на которых расположена металлическаяспираль, выполнена скругленной. риведена схема предлаокочастотной...

Номер патента: 540316

Опубликовано: 25.12.1976

Авторы: Валитов, Марин, Мурмужев

МПК: H01P 1/32

Метки: вентиль, сверхвысокочастотный

...на диэлектрической подложке 7, через полоско вые переходы 8 и 9, один из которых (переход9) имеет скрутку относительно выходного отрезка линии передачи 2, а поглощающая нагрузка 6, выполненная, например, в виде клинообразных пластин, установлена на боковых 15 поверхностях входного отрезка линии передачи 1.Сверхвысокочастотный вентиль работаетследующим образом,В электромагнитной волне, поступающей на 20 входной отрезок линии передачи 1, векторэлектрического поля направлен перпендикулярно к плоскости подложки 7, и в полосковой линии происходит распространение в одномодовом режиме основного типа волны Еь 25 распределение электрического поля которойне оказывает влияния на нагрузку 6.В полосковом переходе 8 волна Еп преобразуется в волну ТМО...

Номер патента: 368683

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Кильдишев, Мурмужев, Электроники

МПК: H01P 1/23, H03C 7/02

Метки: модулятор, свч

...постоянное магнитное поле;- намагниченность йасыщения,рита,сначала преобразуется штыревой антенной в поверхностную магнитостатическую волну, которая распространяется вдоль оси У слоя феррит-воздух-металл. Частота этой поверхностной волны в (см. фиг. 2) зависит от величины воздушного зазора д между ферритовой пленкой 2, выращенной на диэлектрической подложке 3, и проводящим слоем 4, нанесенным на пленку или пластину магнитострикционного, сегнетоэлектрического или пьезоэлектрического преооразователя 5.При подаче модулирующего напряжения на преобразователь 5 воздушный зазор меняется с частотой модуляции, что приводит к изменению условий распространения и частоты поверхностной магнптостатической волны 1 см. фиг. 2). ПРп д)4 р...