H01P 1/375 — с использованием фарадеевских вентилей
Свч вентиль
Номер патента: 1022606
Опубликовано: 30.08.1985
Авторы: Мериакри, Мурмужев, Пархоменко, Рез, Ушаткин
МПК: H01P 1/375
...поглощающей нагрузкой 7 и диэлектрическим вкладышем 3. К входному 1 и выходному 2 согласующим элементам подведены -ходная 9 и выходная 10 линии пере 1 ачи СВЧ энергии, Диэлектрический вкладыш 3 выполнен из двулувый вкладышии всесогласующие элементы выполнены ввиде соприкасающихсяпластин с одинаковой площадьюповерхности.,чепреломляющего кристалла, а поглощающая нагрузка 7 - из дихроичногокристалла. Поглощающая нагрузка, диэлектрический 3 и ферритовый 5 вкладыши и все согласующие элементы 1,2, 4, 8 могут быть выполнены, какпоказано на чертеже, в виде соприкасающихся пластин с одинаковой площадью поверхности,СВЧ вентиль работает следующим об.разом.Прямая волна с вертикальной поляризацией электрического поля Е свходного согласующего...