Миндеева

Номер патента: 1305774

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Барчуков, Лавриков, Миндеева, Мызгин, Неклюдов, Сергеев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее

...В исходном состоянии из выхода7 вытекает ток, а на шине 2 поддерживается низкий потенциал. На входе 21низкий потенциал и транзисторы 18-20и 31 выключены. При этом диоды 25 и26 и транзистор 27 закрыты. Потенциалы на шинах 3 и 4,равны и поддерживаются на высоком уровне транзистором15. При выборке элемента 1 памяти токиэ входа 7 выключается, через эмиттерный повторитель на транзисторе 5на шину 2 поступает положительныйимпульс напряжения, а в результате 35 подачи импульса напряжения на вход21, в шины 3 и 4 через транзисторы 18и 19 поступают разрядные токи 1приблизительно равные токам, задаваемыми источниками 22 и 23, Одновременно включается: транзистор 20 и егоколлекторный ток, протекающий черезрезистор 16, приводит к снижению...