Люмицкий

Номер патента: 1702519

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Люмицкий

МПК: H03F 3/26

Метки: мощности, усилитель

...(за счет упрощения),При возрастании входного сигнала доего порогового уровня(Овх,пор ) открывается 35дополнительный диод 11 и начинает открываться второй транзистор 2. Значение порогового уровня входного сигнала, прикотором происходит подключение второгоисточника 10 питания, определяется следующим образом,Окпор.=09 - 08+ Обэ 2+ 04+011,где 09 - напряжение (низкс вол ьтного) первого источника 9 питания;08 - напряжение нэ диоде 8; 45Обв 2 - НаПряжЕНИЕ На ПЕрЕХОдЕ базаэмиттер транзистора 2;011 - напряжение нэ дополнительномдиоде 11;04=И 4 - напряжение нэ первом резисторе 4;4 - ток через первый резистор Р 4,Кроме того,09 - 08 1 Ов 2 + 011 -0614 = 162 + р 55 где 62 - ток базы транзистора 2;06 - напряжение на резисторе б нагрузки, Из...

Номер патента: 1647847

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Дроздецкий, Люмицкий

МПК: H03F 3/20

Метки: усиления

...неравенству- = 1 е Ео + К ( Кт + К Ео ) О,ЫоЪ Овыхгде 1 е - чувствительность тока покоя усилителя к изменению напряжения питания,Е-чувствительность: напряжения источника питания к изменению выходного напряжения усилителя;К 1 - чувствительность тока покоя усилителя по управляющему входу;Кг - коэффициент передачи делителя 2 .напряжения.При этом влияние "ступеньки", вызванной неидентичностью (тактовой несинхронностью) ступеней оконечного каскада усилителя 1 постепенно уменьшается, чем достигается дополнительное снижение ко 45 смещая рабочую точку в соответствующемнаправлении,Формула изобретения .Устройство усиления, содержащее усилитель мощности, детектор, делитель на 50 пряжения, отвод которого соединен с однимвходом...

Номер патента: 1628183

Опубликовано: 15.02.1991

Автор: Люмицкий

МПК: H03F 3/26

Метки: мощности, усилитель

...источников 12 и 13 питания,Обэнасд - напряжение насыщения баэаэмиттер четвертого транзистора 4.Для того, чтобы переход база-эмиттерчетвертого транзистора 4 мог насыщаться,второй резистор 8 должен быть выбран иэсоотношения013 - О 12 = Обзмс 4+ Окэяесз+ Ояа ь (1)где Окэнасз - напряжение насыщения участка коллектор-змиттер третьего транзистора 3;Овв - падение напряжения на второмрезисторе 8,При этом напряжение между коллектором и эмиттером четвертого транзистора 4становится минимально возможным для выбранного типа транзистора и равным напряжению насыщенного участка коллекторэмиттер Оэнс 4, так как оно в предлагаемой схеме не зависит от напряжений на других элементах схемы Окэнас 4 не входит в выражение (1).При уменьшении уровня...