Усилитель мощности

(505 Н 03 Г 3/26 ГОСУДАРСТВЕНЮЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ь 11 с 1 С Г 1.1 А(71) Бердское специальное конструкторскоебюро(56) Авторское свидетельство СССРМ 1298850, кл, Н ДЗ Р 3/26, 1984.(57) Изобретение относится к радиотехнике.Цель изобретения - повышение КПД. Усили.Ж(, 1 б 28183 А 1 тель мощности содержит транзисторы (Т) 1-4, диоды 5 и 6. резисторы 7 - 10, нагрузку 11, низковольтный и высоковольтный источники 12 и 13 питания. Цель достигается выбором структуры Т 2; одинаковой со структурой Т 1 и 3, что дает возможность управлять Т 3, подключенным своим эмиттером через резистор 8 к шине источника 12. Резистор 10 шунтирует переход база-эмиттер Т 4 и уменьшает длительность переходных процессов при коммутации источников 12 и 13, 1 ил.5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Изобретение относится к радиотехникеи может использоваться при создании мощных усилителей переменного напряжения.Цель изобретения - повышение КПД.Иа чертеже представлена принципиальнаяя электрическая схема усилителя мощности,Усилитель мощности содержит первый1, второй 2, третий 3 и четвертый 4 транзисторы, первый 5 и второй 6 диоды, первый 1,второй 8, третий 9 и четвертый 10 резисторы, нагрузку 11, а также низковольтный 12и высоковольтный 13 источники питания,Усилитель мощности работает следующим образом.Входной сигнал поступает на базу первого транзистора 1 через первый диод 5.Первый транзистор 1 усиливает этот сигнали через нагрузку 11 протекает ток от низковольтного источника 12 питания .По мере возрастания входного сигналанапряжение на участке коллектор-эмиттерпервого транзистора 1 падает в результатепри определенном входном сигнале второйтранзистор 2 закрывается, что приводит коткрыванию третьего транзистора 3 и четвертого транзистора 4. В результате черезнагрузку 11 начинает протекать ток от высоковольтного источника 13 питания,Второй диод 6 в это время закрыт обратным напряжением. Поскольку эмиттертретьего транзистора 3 подключен к шиненизковольтного источника 12 питания, топри возрастании уровня сигнала переходбаза-эмиттер четвертого транзистора 4 полностью насыщается, так как третий транзистор 3 запитан раэностным напряжениемисточников 12 и 13 питания, которое значительно больше, чем напряжение насыщенияперехода база-эмиттер четвертого транзистора 4013 012Обзнас 4,где О 12, О 1 з - напряжение низковольтного ивысоковольтного источников 12 и 13 питания,Обэнасд - напряжение насыщения баэаэмиттер четвертого транзистора 4.Для того, чтобы переход база-эмиттерчетвертого транзистора 4 мог насыщаться,второй резистор 8 должен быть выбран иэсоотношения013 - О 12 = Обзмс 4+ Окэяесз+ Ояа ь (1)где Окэнасз - напряжение насыщения участка коллектор-змиттер третьего транзистора 3;Овв - падение напряжения на второмрезисторе 8,При этом напряжение между коллектором и эмиттером четвертого транзистора 4становится минимально возможным для выбранного типа транзистора и равным напряжению насыщенного участка коллекторэмиттер Оэнс 4, так как оно в предлагаемой схеме не зависит от напряжений на других элементах схемы Окэнас 4 не входит в выражение (1).При уменьшении уровня входного сигнала процессы протекают в обратном порядке.Выбор структуры второго транзистора 2 одинаковой со структурой первого 1 и третьего 3 транзисторов необходим, так как только в этом случае имеется воэможность управлять третьим транзистором 3, подключенным своим эмиттером через второй резистор 8 к шине низковольтного источника 12 питания.Четвертый резистор 10 шунтирует переход база-эмиттер четвертого транзистора 4 уменьшает длительность переходных процессов при коммутации высоковольтного и низковольтного источников 13 и 12 питания,На основании усилителя мощности можно построить двухтактный усилитель мощности и сделать большее число ступеней переключения питания, Также допустимо подключение базы второго транзистора 2 к шине низковольтного источника 12 питания. но при этом пропадает следящая отрицательная обратная связь. формула изобретения Усилитель мощности, содержащий первый транзистор, эмиттер которого через нагрузку соединен с общей шиной, база через последовательно соединенные первый диод и первый резистор подключена к эмиттеру второго транзистора, коллектор которого соединен с базой третьего транзистора, четвертый транзистор, коллектор которого соединен с коллектором первого транзистора, базой второго транзистора и через второй диод подключен к шине низковольтного источника питания, эмиттер четвертого транзистора подключен к шине высоковольтного источника питания, база - к коллектору третьего транзистора, эмиттер которого соединен с первым выводом второго резистора, при этом точка соединения первого диода и первого резистора является входом усилителя мощности, а структура четвертого транзистора противоположна структуре первого и третьего транзисторов, о т л и ч аю щ и й с я тем, что. с целью повышения КПД, в него введены третий и четвертый резисторы, включенные между шиной высоковольтного источника питания и соответственно базой и коллектором третьего транзистора, второй вывод второго резистора подключен1628183 Составитель И,ВодяхинаТехред М,Моргентал Корректор Л.Патей Редактор Л.Пчолинская Заказ 347 Тираж 455 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 к шине низковольтного источника пита- структуру первого и третьего транзистония, при этом второй транзистор имеет ров.