Лаукманис

Номер патента: 1206240

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Арайс, Лаукманис, Седмале, Седмалис

МПК: C03C 8/08

Метки: эмаль

...Свойства эмали КоэФфициент линейного термического раыирения (КРТ в интервале 20 -400 С, град 10 т 101 95 92 83 Дилатометр, температура размягчения,С 505 502 ; 490 500 485 О,4 . О,5 0,10 0,21 0,20 1 10 2,3 101-10 1. От Диэлектрическая проницаемостьпри Г1 кГц и 20 С 13,0 15,3 10,1 12,3 Химическая устойчивость кводе, Х Удельное электросопротивлекнеь Оммпри 20 Спри 400 С Варку фритты производят при1300-1350 С с выдержкой 30 мин примаксимальной температуре. Расплавподвергают быстрому охлаждению вы 5 ливанием на металлическую плиту.Фритту дробят до размеров частиц0,1-0,3 мм, осуществляют помолв шаровых мельницах в среде воды доразмеров частиц 15-20 мкм.10 Полученный шликер наносят на окисленный металл (окисление производят при 750 С в...

Номер патента: 342249

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лаукманис, Фелтынь

МПК: H01L 21/306

Метки: ifiiitt, t-vhsljs, tия, библиотекатравитель, всесоюзная, д-ггут, лjsи

...монокристаллических полупроводниковых материалов. Оно может быть использовано для определения этих несовершенств на разных технологических стадиях создания активных элементов в промышленности полупроводников, в том случае когда применяются паро-газовые среды (например, при эпитаксиальном наращивании) .Известны газовые травители для полупроводников на основе водорода и хлористого водорода, Эти травители непригодны для выявления дислокаций на поверхности полупроводников.Предложенный травитель представляет собой смесь водорода, хлористого водорода и хлора. Он позволяет выявить дислокации при высоких температурах на локальных участках поверхности, созданных, например, при помощи диэлектрических пленок 81 О 2, Яэ 11 п и др. Наилучшие...