Кузьмишко

Номер патента: 840158

Опубликовано: 23.06.1981

Авторы: Бабичев, Корниенков, Кузьмишко, Макаров, Молотилов

МПК: C21D 8/12

Метки: производства, стали, текстурованнойэлектротехнической

...является температура, близкая к Тпл., однакопри Т 1000 ОС происходит неравномерное течение материала, приводящее к 1 Ообрыву. Поэтому для деформации выбранатемпература в пределах 900-1000 ОС.Субструктура, сформированная в. кРис-таллах электротехнической стали предлагаемым способом, приводит к уменьшению потерь на перемагничивание благодаря снижению коэрцитивной сидя из-заэффекта очистки объема кристалла отнесовершенств и примесей и токовихревых потерь за счет дробления доменнойструктуры малоугловыми границами,П р и м е р, Снижают потери наперемагничивание в кристаллах электротехнической стали с ориентировкой (110)001 после создании в них субструктуры 25путем одноосного растяжения в условиях-ЯИз болыпих зерен...