Иванкив

Номер патента: 1745314

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Артемов, Зезекало, Иванкив, Кичигин, Ковалько, Сальваровский

МПК: B01D 53/14

Метки: газов, диоксида, углерода

...всборную емкость, а регенерированный аммиачный раствор, через теплообменник 5снова в абсорбер 1,5 Скорость коррозии стали в исследуемыхрастворах, замеряемая в колонне регенерации гравиметрическим методом при помощи образцов-свидетелей за время 48 ч вприсутствии флотореагента ВЖС, снижает 10 ся в 8-10 раз,В таблицу сведены результаты получения диоксида углерода из природного газаабсорбцией с использованием составов сразличным содержанием ингредиентов,15 раз коррозионного разрушения металла; низкие капиталовложения и энергозатраты, например, эа счет использования оборудования установок комплексной подготовки газа при использовании изобретения - в газовой промышленности.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что в аммиачную...

Номер патента: 1347146

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Иванкив, Моисеенкова, Нивинский, Романюк

МПК: H03D 3/18

Метки: дискриминатор, фазовый

...на компаратор 7 с источника 11 разнополярных напряженийВеличина опорных напряженийисточника 11 разнополярных напряженийвыбирается из соображений обеспечения необходимого быстродействия фазового дискриминатора при сохранениидостоверности дискриминации фазы нафоне импульсных и регулярных помех.0 Минимальная величина абсолютного значения опорного напряжения источника11 должна превышать уровень порогового напряжения компаратора 8, Верхнийпредел абсолютного значения опорногонапряжения источника 11 определяетсянеобходимым временем накопления интегральных оценок Фазы на интеграторах 3 и 4, гарантирующим достовернуюдискриминацию фазы при зашумленномвходном сигнале, Если входной сигналдостаточно сильный и его зашумленность невелика, то...

Номер патента: 1183830

Опубликовано: 07.10.1985

Авторы: Гришин, Иванкив, Пенцак, Тхир

МПК: G01B 7/06

Метки: окисных, пленок, толщины, тонких

...скорости образования тонких окисных пленок, получаемых путем 5 окисления материала подложки и одно-. временного управления скоростью их роста в технологическом процессе изготовления, а также для контроля толщины тонких пленок, получаемых путем 10 галогенизации материала подложки или других гетерогенных реакций, сопровождаемых экзоэлектронной эмиссией.Целью изобретения является обеспечение контроля в процессе изготовления пленки и упрощение способа.Способ осуществляется следунпцим образом.В вакуумной камере на диэлектри ческую подложку напыляют пленку (например, магниевую) . Напыление прекращают и нагревают образец до 350-700 К, В камеру напускают кислород до плавления 10 фПа, 25 Электроны, которые эмиттируют при окислении магния,...