H01J 49/18 — с использованием искровой ионизации
Высокочастотный искровой ионный источник
Номер патента: 382170
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Зеленин, Сихарулидзе
МПК: H01J 49/18
Метки: высокочастотный, ионный, искровой, источник
...электроды подключаются непосредственно.Основной недостаток таких источников за= ключается в том, что содержание материала контрэлектрода в спектре составляет около 20 1% атомных единиц. Это предъявляет повышенные требования к чистоте материала контрэлектрода.Целью предлагаемого изобретения является уменьшение содержания материала контр электрода в масс-спектре.Сущность изобретения поясняется чертежом, где: 1 - высокочастотный трансформатор; 2 - образец ионного кристалла; 3 - контрэлектрод; 4 - конденсатор; 5 - высоко- З 0 вольтный диод. Работает устройство следующим образом.При подаче Втпсокочастотного напряжения на первичного оботку трансформатора 1 между образцов 2 и контрэлектродом 3 заго)дется высокочастотньй од.Ополярны Искровой...
Искровой источник ионов
Номер патента: 550053
Опубликовано: 15.05.1992
Авторы: Гущин, Держиев, Рамендик, Чупахин
МПК: H01J 49/18
Метки: ионов, искровой, источник
...энергети"ческого распределения. Поэтому искравые источники ионов применяются толь.ко в сочетании с масс"спектрометра"ми с двойной фокусировкой, котораяимеет следующие недостатки; снижениеинтенсивности ионного тока из-замалого коэффициента использования550053ток конденсатора 5. Этот ток заряжает конденсатор 6, тем самым прекращая разряд, когда потенциалы наэлектродах выравниваются.Длительность разряда при этомуменьшается, Если емкость конденса"тора 6 равна 1.ф 10- Ф, Т 5"1 О 8 с,При этом энергетический разбросснижается до И 50 эв,Энергетицеский разброс ионов можно оценить по формулеЯ 112и = - -- (т)2 шд з 1 где у 1 11 оЭуионов (из 5 10ионов, полученных подобным способом, только один доходит до приемника ионов), громоздкост сложность,...