H01G 5/02 — H01G 5/02

Номер патента: 1828558

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Ханс, Юрай

МПК: H01G 5/02

Метки: вакуумный, конденсатор, подстроечный

...наружного диаметра токоведущего сильфона 9 и внутреннего диаметра электропроводной оболочки (верхней металлической оболочки 2), то уменьшение соотношения диаметров ведет к соответствующему сокращению собственной индукти Вности.Согласно изобретению это достигается тем, что сильфон 9 своим наружным диаметром и электропроводная оболочка своим внутренним диаметром согласуются друг с другом.Предпочтительно, если указанное соотношение диаметров меньше 1,5, в частности, меньше 1,2. Такое соотношение диаметров достигается, например, в том случае, если привышеуказанном размере О = 187 мм сильфон 9 расширить до наружного диаметра д = 167 мм, то есть если расстояние между сильфоном 9 и электро- проводной оболочкой будет составлять лишь 10...