H01F 1/30 — H01F 1/30

Номер патента: 557423

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Гордеева, Иофис, Лазаков, Пароль

МПК: H01F 1/30

Метки: двуокиси, ненакапливаемого, основе, пленки, эмиттера

...изготовить сразу пленку чистой двуокиси олова, ее невозможно было бы отформовать, т.е. получить требуемую эмиссионно.акпщную область, так как чистая двуокись олова не обладает необходимой проводимостью. Поэтому окончательное окисление пленки возможно только после формовки эмис. сионно-активной области: Окончательное окисление пленки достигается подогревом ее в течение 10 - 15 час при температуре 1000 - 1200 С при нормальном атмосферном давлении. Отжиг пленок прн температуре выше 1200 С приводит к полному падению тока эмиссии. С другой стороны, скорость термодиффузии олова к поверхности и к эмиссион. но-активной области тем выше, чем выше темпера557423 Составитель Г. КудинпеваТехред Н. Бабурка Корректор Л. Веселовская Редактор Т,...