G11C 17/02 — с использованием магнитных или индуктивных связей или элементов

Номер патента: 1167657

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Борисенкова, Морозков, Образцов, Сушин

МПК: G11C 17/02

Метки: запоминающего, накопитель, постоянного, типа, трансформаторного, устройства

...окно 10 устанавливается пружина8, перемычка 19 которой под действием упругих сил заходит между выступами 11 и стенкой 9 отверстия 8, потом укладывается нижний сердечник 12, перемычка 13 которого задвигается пружиной 18 между выступами 11 и стенкой 9. После этого кодовый жгут 22 и разрядные обмотки 23 размещаются на стойках 3. Сердечник 16 устанавливается в каркас 2 со стороны стоек 3 между пружиной 18 и сердечником 12, с продвижением которого фиксатор 21 скобы 20 входит в отверстие 8, причем перемычка 17 сердечника 16 ложится на плоскость 6 паза 5.Паз 5 служит ориентиром для правильной установки сердечника 16 и предохраняет этот 5 10 15 20 25 30 35 40 45 сердечник 16 и жгут 22 от повреждений при воздействии на накопитель внешних...

Номер патента: 1185397

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Бронников, Торчицкий, Туркин

МПК: G11C 17/02

Метки: запоминающее, постоянное

...наб., д. 4/5филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении трансформаторных постоянных запоминающих устройств (ПЗУ). 5Целью изобретения является уменьшение времени выборки информации из ПЗУ, построенного на основе трансформаторного накопителя с троичной прошивкой информации.1 ОНа чертеже приведена схема ПЗУ.Устройство содержит сердечники 1, прошитые информационными проводами 2 и выходными обмотками 3, средняя точка которых подключена к шине 4 15 нулевого потенциала, первый, второй, третий и четвертый усилители 5 - 8 с инверсными выходами, элемент ИПИ 9, первый 10, второй 11 и третий 12 элементы И-НЕ, стробирующий вход устройства 13 и выходы...

Номер патента: 1374278

Опубликовано: 15.02.1988

Автор: Ермолин

МПК: G11C 17/02

Метки: биаксах, записи, запоминающее, информации

...диаграммы токов Т и 1в шинах Х и У; на фиг.2 - петли гистерезиса материала биакса по разрядному отверстию соответственно при воздействии последовательности из разнополярных импульсов тока на адресное отверстие (а) и до воздействия (б); на фиг.З - схема матрицы запоминающего устройства на биаксах.Сущность способа заключается в том, что разрядный ток подают после того как с помощью последовательности раэнополярных импульсов адресного тока произойдет сужение (стягивание) петли гистерезиса по разрядному отверстию биакса. Оканчиваются токи одновременно. При этом длительность импульсов разрядного тока меньше, чем в способе-прототипе, что обеспечивает уменьшение потребляемой при записи информации мощности. Способ реализуют аналогично...