G11C 11/15 — с использованием нескольких магнитных слоев

Матричное запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 129391

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Бандура

МПК: G11C 11/15, G11C 5/02

Метки: запоминающее, матричное

...3 н еще изоляция, В области 4, охватываемой петлями первой и второй обмоток, наносится магнитный материал с преимугцественным намагничиванием в направлении перпендикулярном к плокости пленки. Последним наносится сплошной слой магнитного матерна. ла с преимущественным намагничиванием вдоль плоскости пленки.В результате получается матрица из магнитных сердечников, образующихся в общей области двух пересекающихся линий первой и второй петлеобразных обмоток (например, область 4). Каждый из образованных таким образом магнитных сердечников при достаточном суммарном токе в обмотках 1 и 3 может быть перемагничен в одно пз двух усЬд 129391 тойчивых состояний. Следовательно, подав импульс записи по первой и второй обмоткам, можно в любом участке...