Матричное запоминающее устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 129391
Автор: Бандура
Текст
129391 Класс 42 гп, 14)з ссср ЕТЕНИ ЕЛЬСТВУ ПИСА К АВТО КОМУ СВ опасная группа17 В. Е. ура ТРОЙСТВО ЩЕЕ ТРИЧНОЕ ЗАПОМИ го делам изоппстсниССР Комитетпетров С 90,26 в ете Ми 959 г)а .Х"е 63открытий при С),енГ) 14 сент;) 2 за 1960 ний Ъ Бюллетене публиков зоорс Известны запоминающие устройства матричного типа, выполненные с использованием технологии печатных схем, а также матричные запоминающие устройства с элементами памяти на пленочных магнитных материалах с прямоугольной петлей гнстерезиса.Предлагаемое матричное запоминающее устройство с пленочноч структурой, предназначенное для хранения информации, заданной в двоичном коде, отличается от известных тем, что, с целью повышения экономичности, быстродействия и уменьшения габаритов, запоминак)- шие элементы, составлявшие замкнутуо магнитную систему, состоят из слоев пленочного материала, имеющих преимущественное намагничивание вдоль плоскости пленки, слоев пленочных петлеобразных про. водников со слоями диэлектриков между ними и промежуточного слоя магнитной пленки с преимущественным намагничиванием в направлении перпендикулярном плоскости пленки.Принципиальная схема предлагаемого устройства изображена нз чертеже.Матричное запоминающее устройство выполняется последовательным нанесением на изоляционную подложку напргмер, керампческу)1 методом распыления пленочных слоев специальной конфигурации сл:- дующих видов материалов: магнитного с прямоугольной петлей гнстер".- зиса, проводящего и изоляционного. Первым на подложку наноснт.ч сплошной слой магнитного материала, имеющего преимущественное намагничивание вдоль плоскости пленки; затем через трафарет наносится слой изоляции и за ннм первая петлеобразная обмотка 1. Дал:с наносятся: изоляция, обмотка считывания 2, изоляция, вторая петлеобразная обмотка 3 н еще изоляция, В области 4, охватываемой петлями первой и второй обмоток, наносится магнитный материал с преимугцественным намагничиванием в направлении перпендикулярном к плокости пленки. Последним наносится сплошной слой магнитного матерна. ла с преимущественным намагничиванием вдоль плоскости пленки.В результате получается матрица из магнитных сердечников, образующихся в общей области двух пересекающихся линий первой и второй петлеобразных обмоток (например, область 4). Каждый из образованных таким образом магнитных сердечников при достаточном суммарном токе в обмотках 1 и 3 может быть перемагничен в одно пз двух усЬд 129391 тойчивых состояний. Следовательно, подав импульс записи по первой и второй обмоткам, можно в любом участке матрицы записать 1 или 0 в зависимости от полярности импульсов и принятого направления перемагничивамия. Считывание информации производится по обмотке считывания 2. Для компенсации полутоков в обмотке считывания последняя имеет обычную зигзагообразную конструкцию,Пленочная структура предлагаемого устройства обеспечивает воз. можность использования чистых металлов, имеющих высокие электрические характеристики, и позволяет повысить экономичность, быстродействия и уменьшить габариты,Кроме того, малые габариты сердечника позволяют иметь дело со структурой, состоящей из небольшого количества доменов, что, в свокз очередь, обеспечивает большее быстродействие за счет уменьшения времени переключения,Предмет изобретения Матричное запоминающее устройство с элементами памяти на пленочных магнитных материалах с прямоугольной петлей гистерезиса, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения экономичности, быстродействия и уменьшения габаритов, оно состоит из слоев пленочного материала, имеющих преимущественное намагничивание вдоль плоскости пленки, слоев петлеобразных проводников со слоями диэлектриков между ними и промежуточного слоя магнитной пленки с преимущественным намагничиванием в направлении перпендикулярном плоскости пленки, расположенных таким образом, что они образуют запоминающие элементы, составляющие замкнутую магнитную систему.) Редактор 11. С, Кутафина Тереп А. Л. Камышникова Корректор Г. С. Голубятникова Лак. 6567Поди. к печ. 15.Ч 111-60 г.Информационно-издательпри Совете Министро Цена 25 коп. Тираж 750 Объем 0,17 и. л. тений и открытий ий пер., д. 2/6.формат бум. 7 й отдел Комитета и ССР, Москва, Цент ОХ 108 / о делам изобр р, М. Черкасс ипография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС Москва, Петровка, 14
СмотретьЗаявка
638690, 14.09.1959
Бандура В. Е
МПК / Метки
МПК: G11C 11/15, G11C 5/02
Метки: запоминающее, матричное
Опубликовано: 01.01.1960
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-129391-matrichnoe-zapominayushhee-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Матричное запоминающее устройство</a>
Предыдущий патент: Устройство для умножения
Следующий патент: Статический триггер
Случайный патент: Логарифмический время-импульсный преобразователь