G03G 13/044 — G03G 13/044

Номер патента: 1341611

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Марукян, Паносян, Хачатрян

МПК: G03G 13/044

Метки: дефектов, поверхности, полупроводника, регистрации, электрографический

...происходит стравливание пленки естественного окислас поверхности полупроводника, Такимобразом, создается контакт полупро:водник - электрот:г, Стравливаниеокисной пленки происходит из=за присутствия н электролите планиковойкислоты. К графитоаым электродам изхарактериографа подают постоянное илипеременное напряжение. Через системуполупроводников фо:"Обумага - электроды проходит ток, При этом плотность тока из дефе;тных областей понерхности полупроводника преньппает плотность тока из бездефектных областей, Время подади апряжения на электроды составляет 30-45 с, НаличиеПОМЕЩЕНИИ 55 электрического поля в этих участках,что снижает потенциальный бурьер награнице раздела полупронодникэлектролит, приводя к локальным увеличениям плотности тока...