G01B 7/32 — для измерения площадей

Номер патента: 1774160

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Хоменко

МПК: G01B 7/32

Метки: объектов, плоских, площадей

...высокого поступающими с генератора 2(см, фиг.2 а,б), 25 уровня на выходе элемента 12. Этим сигна- С выхода кбммутатора 24 поступает измери- лом на выходе элемента И 12 осуществляет- тельный сигнал в виде пакетов гармониче- ся сброс показаний счетчиков 3,4,20 и скогосигналасинтерваломвременимежду установление ждущего состояния (до по- ними т, который определяется параметра- ступления очередного запускающего имми одновибратора 15 и превышает время 30 пульса на вход элемента И 13 с датчика переходнь 1 х процессов между двумя после- запускающих импульсов). Подсчитанное обдовательными переключениямисоднойем- щее число заполненных емкостных ячеек костной ячейки матрицы 9-:на другую. При матрицы 9 пропорционально измеряемой отсутствии...

Номер патента: 1779910

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Афоничев, Денисова, Фархутдинов

МПК: G01B 7/32

Метки: объекта, площади, поверхности, электропроводного

...и 15судят о площади поверхности исходя изплощади эталона, веса слоев состава наконтролируемой поверхности и эталонномобразце. Площадь поверхности тела определяют по формуле 31 = - Зг, где Я 1 и Зггп 1 20гпг- площадь поверхности тела и эталона соответственно; гп 1 и гпг - масса слоя состава наконтролируемой поверхности и эталоне соответственно. 25В качестве смачивающего состава могутбыть использованы расплавленный парафин, клеевые или масляные краски.Недостатком способа является использование материалов, которые из-за низкой 30плотности покрытия не позволяют сохранить микрорельеф поверхности и как следствие не позволяют гарантировать точностьизмерения.Цель изобретения - повышение точности измерений и упрощение способа,Поставленная цель...

Номер патента: 1840845

Опубликовано: 27.12.2012

Автор: Самсонов

МПК: G01B 7/32

Метки: диэлектрике, емкостного, слоя, токопроводящего

Способ емкостного контроля токопроводящего слоя на диэлектрике, заключающийся в том, что диэлектрик контактируют с электродом, измеряют электрическую емкость между этим электродом и токопроводящим слоем и по значению этой емкости определяют площадь указанного слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля изменения указанной площади вследствие нарушения целостности токопроводящего слоя и фиксации координат этого нарушения, сканируют поверхность слоя составным электродом, поочередно коммутируя его компоненты, а затем один из них перемещают в пределах выявленных дефектных зон в контролируемом слое.