Дейно
Держатель образца рентгеновской высокотемпературной приставки
Номер патента: 775672
Опубликовано: 30.10.1980
Авторы: Дейно, Финкельштейн
МПК: G01N 23/20
Метки: высокотемпературной, держатель, образца, приставки, рентгеновской
...плоскость корпуса выполнена сравнимой, но заведомо меньшей по размеру в вертикальном направлении, чем кювета, а устройство прижима выполнено в виде установленной одновремен. но на кювете и корпусе накладки с ассиметрично расположенной клиновидной установочной прорезью, при этом центр тяжести накладки находится со стороны опорной плоскости за ней.На чертеже изображен общийвид одного иэ вариантов предлагаемого держателя образца,На упор 1 корпуса 2 держателя, имеющего плоскость опоры 3, устанавливается кювета 4 с порошкообразным образцом или сам пластин чатый образец, Высота опорной плоскости долж. на быть заведомо меньше высоты кюветы. На. кладка 5, устанавливаемая сверху на образец, имеет асимметрично расположенную клиновидную прорезь, с...
Высокотемпературная приставка к рентгеновскому дифрактометру
Номер патента: 706756
Опубликовано: 30.12.1979
Авторы: Дейно, Мясников, Финкельштейн
МПК: G01N 23/20
Метки: высокотемпературная, дифрактометру, приставка, рентгеновскому
...2 образца и йагреватель 3. Нагрева- ниена порядок (от 10 4 до 10 мм рт.ст.,тель" окружен комплектом цилийдрическйх 4, при работе в интервале температур 800-1500 С.верхних 5 и нижних б плоских экранов, кото- При этом газологлотительное действие экрарые могут быть"выполнены иэ различныхсоче-нов оказывается достаточным для подцержаниятакий материалов. С помощью вакуумпровода 7 1 о в течение 60 мин давления внутри приставкивнутренний объем приставки связан с системойне менее Зх 10 мм, рт,ст. при полном отклю отКачки; чении ее от внешней системы откачки.При йроведейии высокотемпературйых исследований, наивь 1 Сшуютемпературу Имеет" экран,расположенный непосредственно вблизи нагре- . 1 Б Ф о р м у л а и з о б р е т е н ийВателя,"а...