Чепарин

Номер патента: 1483525

Опубликовано: 30.05.1989

Авторы: Громогласов, Карпов, Китайцев, Савченко, Чепарин, Черкасов

МПК: H01P 1/26

Метки: волноводная, нагрузка

...3 и толщины й диэлекгтрической пластины 4 определяютсяиз выражений где м ре - мнимая часть резонансноймагнитной проницаемостигексаферрита;Я, - рабочая длина волны;- относительная диэлектрическая проницаемость материаладиэлектрической пластины;а - размер широкой стенки отрезка прямоугольного волновода,Волноводная нагрузка работает следующим образом,Путем выбора в ферритовой поглощающей пластине 3 состава гексаферрита с необходимым полем внутреннейкристаллографической анизотропииобеспечивается совмещение частотыестественного ферромагнитного резонанса с заданной рабочей частотой,Этим достигается максимальное значение магнитных потерь в ферритовойпоглощающей пластине 3, что позволяет минимизировать ее толщину йВ результате улучшается...

Номер патента: 281710

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Балбашов, Колчин, Медведев, Чепарин

МПК: H01F 1/10

Метки: гексаферрит

...чают и размашаровой мельподсушивают , которую нащую из неферов из магнит 9,85 - 9 23,2 - 32 остальное редмет изобретени Гексаферрит, содержа окись стронция и окись х тем, что, с целью повыш пии до значений ЗЗ - 40,3 ромагнитного резонанса исходные компоненты взя вес. %: окись стронция 9 ма 23,2 - 32, окись железа щий окись железа, р ом а, отличающийся ения поля анизотрокэ при ширине ферне более 1,8 - 2,2 кэ,ты в соотношениях, 85 - 9,95, окись хроостальное. Изобретение относится к области материалов СВЧ-устройств 2 - 4 мм диапазона волн.Известен гексаферрит, содержащий окислы строения и хрома и компоненты которого взяты в соотношении, вес. %: окись стронция 9,85 - 9,95; окись хрома 7,4 - 17,3; окись железа 66,9 - 58,1.С...

Номер патента: 279819

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Свешников, Чепарин

МПК: H01F 1/10

Метки: гексаферрит

...со скоростью 1 -В зависи реннего по ду окисью трехвалент ную таким таиной кри ется при на и последую 2 град(час, за кис Окись трехварадиус котороготальное.Снижение полязамещением окисите окисью трехва Изобретение относится к области ферритовой техники, в частности к материалам, используемым в СВЧ-устройствах.Для создания СВЧ-устройств короткого сантиметрового и длинного миллиметрового диапазонов волн необходимы узкополосные монокристаллы магнитно-одноосных ферритов с внутренними эффективными полями анизотропии порядка 1,5 - 14 кэ.Известен гексаферрит, состав которого выражается формулой ВаО СгеО; 5 ге О;,.Предлагаемый гексаферрит отличается от известного тем, что для,получения поля анизотропии 1,2 - 14,6 кэ и ширины полосы...