Цесевич
Способ обработки поверхностей вращения
Номер патента: 1495021
Опубликовано: 23.07.1989
Авторы: Гурвич, Доброславский, Симонов, Стильве, Цесевич
МПК: B23C 3/00
Метки: вращения, поверхностей
...проходящей через центржелоба, в плоскости торца фрезыуменьшается и, наконец, существуетположение, когда этот радиус кривизныдетали равен радиусу фрезы (фиг.2,сечение б), При этом тангенциальномВВисмещении Е -- взаимное прилегагние фрезы детали будет наилучшим,Дальнейшее уменьшение тангенциальногосмещения приведет к подрезанию профиля желоба,Для обеспечения жесткости и,вибро 25устойчивости фреэерования целесообразно по возможности уменьшить вылетфрезы, т.е. тангенциальное смещение.Поэтому минимально допустимое тангенциальное смещение имеет особоезначение при обработке.Зирину строчки, т,е, расстояниеБ между соседними строками, выбирают иэ условия, чтобы высота гребешкад не превышала допустимого значения,причем по мере удаления от...
Способ обработки турбинных лопаток
Номер патента: 1093433
Опубликовано: 23.05.1984
Авторы: Доброславский, Кудинов, Симонов, Цесевич
МПК: B23C 3/18
...ее вдоль оси лопатки, черновые и чистовые проходы чередуют, причем суммарную ширину строчек во время очередного чернового прохода выбирают больше суммарной ширины строчек последующего чистового прохода.На фиг, 1 представлена схема обработки турбинных лопаток, пример распределения припусков на обработку; на фиг. 2 - схема формообразования круговыми строчками; на фиг. 3 - вариант обработки, при котором ширина строчки черновых проходов равна ширине строчки чистовых проходов; на фиг. 4 - вариант обработки, когда ширина строчки при чистовой обработке превышает ширину строчки при черновой обработке; на фиг. 5 - вариант обработки, когда ширина строчки при черновой обработке превышает ширину строчки при чистовой обработки.Способ...
Устройство для моделирования гистерезиса в упругих связях
Номер патента: 581474
Опубликовано: 25.11.1977
Авторы: Доброславский, Дорфман, Цесевич
МПК: G06G 7/48
Метки: гистерезиса, моделирования, связях, упругих
...разделительных диодов 4(5) и в цепь обратной свя;.зи подключаются новые запоминакццие конденсаторы 3, в результате чего выходноенапряжение 0 изменяется ио кусочно-линейному законус= эх25При эом тангенсугла наклона после дующих участков всегда меньше предыдушях, что позволяет линейными отрезками аппрок симировать кривую деформироввния материала из свободного состояния.30При уменьшении входного напряжения Цц, все открытые разделительные диоды 4(5) сразу же закрываются, так квк потенциал на запоминающих конденсаторах 3 становится выше, чем на выходе операционного усилитЗ 5 ля 1, и на запоминающих конденсаторах 3 запоминаются напряжения, равные максимвль но достигнутому выходному напряжению Ойб зв вычетом запирающего напряжения для каждой...