C23C 16/04 — нанесение покрытия на выбранные участки поверхности, например с использованием масок

Номер патента: 165420

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Четвериков

МПК: C23C 16/04

Метки: германия, основе, пленок, полупроводниковых

...держателе из пта, не содержащепод углом в 10 к о всей поверхности есколькнх сантиметОсаждение спектрально-ч го бора, расп оси трубы, пр держателя, на рах от нагрет происходит стого граф оложенногоичем не п чинаясь в г го края. О пасная группа3 с присоединением заявкиПриоритет Известен способ получения полупроводниковых пленок на основе германия нз газовой фазы при реакции пиролиза в токе водорода на подогретой подложке.С целью получения покрытия заданной формы на выбранном участке подложки предложен способ, по которому подложку с трафаретом помещают в зону невыпадеия германия, непосредственно предшествующуно зоне выпадения, при 1 570 С и под углом в 10 по отношению к направлешпо тока водорода, По предлагаемому способу лоток водорода со...

Номер патента: 1760779

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Аникеев, Казаков, Кирюхин, Коняшин, Коровин, Корчагин, Царьков

МПК: C23C 16/04

Метки: инструмента, композиционного, режущего

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ РЕЖУЩЕГО ИНСТРУМЕНТА, включающий нагрев твредого сплава в неокисляющей атмосфере и нанесение на него карбида титана химическим осаждением из парогазовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности эксплуатационной стойкости, перед нанесением карбида титана проводят дополнительную обработку твердого сплава при температуре 1223 - 1423 К в смеси водорода и тетрахлорида титана при их объемном отношении от 20 до 40 в течение времени определяемого из соотношениягде T - температура обработки, К;C - нормирующий множитель, равный 1 с.