Балабсшко

Номер патента: 430390

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Аржененко, Балабсшко, Горбатов, Московский

МПК: G06G 7/26

Метки: диодный, функциональный

...е, и одинаковую температуру с диодами 11 и 12 (например, в диодных интегральных матрицах). Тепловые зо явления в полупроводниковых диодах приво430390 20 3дят к сдвигу вольт-амперной характеристики диода по оси напряжений,Так как современные операционные усилители обладают малым входным током (10 - 20 иа) и большим коэффициентом усиления по напряжению (до 1 б 0 дб), то потенциал входа операционного усилителя 1 можно считать равным нулю, а ток, протекающий через диод 2, имеет постоянную величину, опредсляемую отношением напряжения на положительной шине опорного напряжения +Е к сопротивлению резистора . Следовательно, при равенстве температуры и температурных коэффициентов напряжения токи, протекающие через диоды 7, - 7, не зависят от...