Аржененко

Функциональный преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 435532

Опубликовано: 05.07.1974

Авторы: Аржененко, Балабошко, Горбатов, Московский

МПК: G06G 7/26

Метки: функциональный

...степенными, сопротивления резисторов Рз, Рю, Лю и полевые транзисторы выбираются из условия минимума погрешности от входных токов усилителя 1.Для отрицательного входного напряжения Ум проводимость каналов транзисторов 5 и 7 И ПОЛЯРНОСТЬ ИСТОЧНИКОВ СМЕЩЕНИЯ Есм, И Есм должны быть противоположными.Для случая, когда резистор 3 находится в цепи отрицательной обратной связи, а первый вход усилителя 1 соединен со входом преобразователя через постоянный резистор 2, затвор транзистора 5 следует соединить с входом через резистор 8, а делитель входного напряжения, выполненный на резисторах 9 и 10, подключить к выходу усилителя 1,Предложенная схема компенсации погрешности от входных токов дифференциального операционного усилителя может...

Диодный функциональный преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 430392

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Аржененко, Балабошко, Горбатов, Московский

МПК: G06G 7/26

Метки: диодный, функциональный

...и одинаковую температуру с дйодами 11 и 12, что, например, справедливо для интегральных диодных матриц. Тепловые явления в полупроводниковых диодах приводят к сдвигу вольт-амперной характеристики дио- ЗО да по оси напряжений.3Так как современные твердосхемные интегральные дифференциальные" операционные усилители обладают малым Входным током (50 - 500 на) большим коэффициентом усиления дифференциального сигнала (до 100 дб) .высокой степенью относительно ослабления синфазного сигнала (до 120 дб), то входным током можно пренебречь, а разность" потенциалов между входами дифференциального усилителя, охваченного отрицательной. обфитной связью, считать пренебрежимо малой. Допустим, что при расчетной температуре потенциалы входов...

Диодный функциональный преобразователь

Загрузка...

Номер патента: 430390

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Аржененко, Балабсшко, Горбатов, Московский

МПК: G06G 7/26

Метки: диодный, функциональный

...е, и одинаковую температуру с диодами 11 и 12 (например, в диодных интегральных матрицах). Тепловые зо явления в полупроводниковых диодах приво430390 20 3дят к сдвигу вольт-амперной характеристики диода по оси напряжений,Так как современные операционные усилители обладают малым входным током (10 - 20 иа) и большим коэффициентом усиления по напряжению (до 1 б 0 дб), то потенциал входа операционного усилителя 1 можно считать равным нулю, а ток, протекающий через диод 2, имеет постоянную величину, опредсляемую отношением напряжения на положительной шине опорного напряжения +Е к сопротивлению резистора . Следовательно, при равенстве температуры и температурных коэффициентов напряжения токи, протекающие через диоды 7, - 7, не зависят от...