Патенты с меткой «ядерно-физического»

Способ ядерно-физического анализа сыпучих материалов

Загрузка...

Номер патента: 989414

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Азбель, Арцыбашев, Волков, Ерофеев, Кузнецов, Пушницкий, Чекавый

МПК: G01N 23/223

Метки: анализа, сыпучих, ядерно-физического

...и регистрации вторичного излучения, по которому судят об анализируемом параметре, датчик перемещают в радиальном направлении над. кюветойтаким образом, что проекция последовательных положений датчика на поверхность кюветы представляет собой спираль Архимеда с шагом, равным радиальному размеру исследуемого датчиком участка поверхности материала, а угловую скорость вращения кюветы изменяют так, чтобы она была обратнопропорциональна расстоянию от датчика до центра кюветы,Ла чертеже показано устройство для осуществления способа.Устройство содержит привод вращения 1, вертикальную ось 2, кювету 3,редуктор 4 для гередачи вращения отвертикальной оси к червячному валу 5и укрепленному на нем датчику б. Привращении червячного вала датчик...

Демонстрационная модель ядерно-физического процесса

Загрузка...

Номер патента: 1223272

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Краев, Пазин, Теплицкий, Тодерян

МПК: G09B 23/06

Метки: демонстрационная, модель, процесса, ядерно-физического

...происходящими с мыльными пузырями и каплей, поПадающей на нагревательный элемент,формула изобретения 20 1Изобретение относится к техническо физике и может быть использовано для мо делирования ядерно-физических процессов в частности процесса аннигиляции элемен тарных частиц.Целью изобретения является расширени демонстрационных возможностей.На чертеже изображена демонстрацион ная модель.Модель состоит из имитатора заряжен ных частиц, выполненного в виде источни ка 1 мыльных пузырей, расположенной по ним пластины 2, связанной с одним из полю сов источника 3 напряжения дополнительно го источника 4 мыльных пузырей, располо женной под ним пластины 5, соединенно с другим полюсом источника 3, и средств для имитации процесса аннигиляции и об...