Патенты с меткой «вторичноэмиссионных»

Номер патента: 445944

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Ибрагимов, Мачин, Черкасов

МПК: H01J 43/00

Метки: вторичноэмиссионных, параметров

...сионных па 15 включающий импульсов потова и в ни, отл что, с цел 20 измерения,первичного выбирают м электроновИзвестны импульсные способы измерения вторичноэмиссионных параметров материалов с помощью импульсов первичного электронного потока, длительность и частоту которых выбирают такими, чтобы обеспечить минимальный заряд на мишени. При этом не достигается высоная точность измерения, поскольку не учитываются паразитные импульсы, наприм р третичные с ноллейтора, четверичные с мишени и т.д.С целью увеличения точности измерений путем выделения паразитных импульсов длительность импульса первичного электронного потока выбирают меньшей, чем время пролета первичного электронного потона до мишени, выделяют во времени импульс втоичного...