Способ измерения вторичноэмиссионных параметров материалов

Номер патента: 445944

Авторы: Ибрагимов, Мачин, Черкасов

ZIP архив

Текст

О П ИВА-НИ И ИЗОБРЕТЕН ИЯ 00 445944 Союз Советскиз Сонреакистическик Республик(32) П асударственнын моиитетСовета Министров СССРво делан нзеоретеннйн открытийОпубликовано 05.10.74 Бюллетень37 (45) Дата опубликования описания 15,10,.Черкасов, Р.Р.Ибра Г 2) Авторы изобретения В и А.М,Мачйн сновский институт электронного машиностроения) СПОСОБ ИЗЮРЕБИ ВТОРИЧНОЭМЛССИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ МАТЕРИЛОВИМ ПУЛЬ С ОВ то Основ она явля импульсы графичес Способ сионных па 15 включающий импульсов потова и в ни, отл что, с цел 20 измерения,первичного выбирают м электроновИзвестны импульсные способы измерения вторичноэмиссионных параметров материалов с помощью импульсов первичного электронного потока, длительность и частоту которых выбирают такими, чтобы обеспечить минимальный заряд на мишени. При этом не достигается высоная точность измерения, поскольку не учитываются паразитные импульсы, наприм р третичные с ноллейтора, четверичные с мишени и т.д.С целью увеличения точности измерений путем выделения паразитных импульсов длительность импульса первичного электронного потока выбирают меньшей, чем время пролета первичного электронного потона до мишени, выделяют во времени импульс втоичного электронного потока без паразитных импульсов ) изатем вычисляют ноэ 4 фициеной эмиссии.Разделение во времени5 возможно благодаря тому,ной импульс вторичного йоется первым, а паразитныесдвинуты на эвране осциллНОГО устройствазмерения вторичноэмисаметров материалов, измерение параметров ервичного элентронного оричного потока с мише- и ч а ю щ и й с я тем, ю увеличения точности длительность импульса электронного потона ныне, чем время пролета до мйшени.

Смотреть

Заявка

1704109, 08.10.1971

МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ

ЧЕРКАСОВ АЛЕКСАНДР СЕРГЕЕВИЧ, ИБРАГИМОВ РАФАИЛ РАВКАТОВИЧ, МАЧИН АНАТОЛИЙ МИХАЙЛОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H01J 43/00

Метки: вторичноэмиссионных, параметров

Опубликовано: 05.10.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-445944-sposob-izmereniya-vtorichnoehmissionnykh-parametrov-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения вторичноэмиссионных параметров материалов</a>

Похожие патенты