Патенты с меткой «т1щ1»
В п тб h т1щ1, -, -j-. •: , ••. i, i j i
Номер патента: 406298
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Волкогон, Мацкевич, Молчанов, Солод, Яровой
МПК: H03K 3/353
Метки: т1щ1
...2, 6 ц 11 подключены к земляной шине.Транзисторы 2 и 5 образуют первый инвертор, транзисторы 6, 9 - второй, а 11 и 13 - 30 дополнительный,3Сток управляющего транзистора 18 соединен с узлом 7, исток - с узлом 12, затвор подключен к шине фазы ФЗ.Во время пассивного периода, когда фаза Ф 1 (фиг. 2 а) имеет низкий потенциал, а фаза Ф 2 (фиг. 2 б) - высокий, транзисторы 3 и 8 поддерживаются в открытом состоянии, а транзистор 1 - в закрытом. Предположим, что в этом случае в узлах схемы 4, 10, 12 - низкий потенциал (фиг. 2 в, д. е), в узлах 7, 14 - высокий (фиг. 2 г, ж). Такое состояние схемы устойчиво,Во время передачи информации, когда действуют фазы Ф 1 и Ф 2, транзисторы 3 и 8 закрываются, а транзистор 1 открывается. Высокий потенциал с...