Патенты с меткой «сканирующего»

Номер патента: 1493942

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Бакушев, Лазарев, Легкобыт, Михайков, Рябцев, Семенов

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретокового, сканирующего

...равна нулю, Плоскость отображения, например. экран графического дисплея, разграничивают на зоны, имеющие соответственно размеры и координаты центров, пропорциональные размерам д зон контроля и координатам осей Е чувствительных элементов, Край поверхности объекта 3 пересекает контролируемое пространство вихретокового преобразователя. При этом у чувствительных элементов, в зону контроля которых попадает этот край, амплитуда сигналов отличается от нуля. В плоскости отображения фиксируют зоны, соответствующие только этим чувствительным элементам. В каждой зафиксированной для отображения зоне выделяют две точки, смещенные относительно ее центра соответственно по оси Х и У. Определение смещения этих точек по каждой из осей Х или...

Номер патента: 1576839

Опубликовано: 07.07.1990

Автор: Титов

МПК: G01B 21/00

Метки: акустического, апертурной, микроскопа, обобщенной, сканирующего, ультразвукового, функции, элемента

...состоящий из акустическойлинзы 10 и ультразвукового преобразователя 11, соединенных звукопроводом12, устанавливают в устройстве таким 40образом, что иммерсионная среда 8обеспечивает акустический контакт излучателя 1 с поверхностью акустическойлинзы 10. Выход ультразвукового преобразователя 11 подключают к входу селектора 5. При этом для обеспечениявозможности фазовыхизмерений ультразвуковой элемент 9 юстируется так,чтобы его фокус совпадал с пересечением осей, относительно которых осуществляется поворот излучателя 1Устройство работает следующим образом,Последовательность радиоимпульсов,вырабатываемая генератором 4, возбуждает ультразвуковой (пьезоэлектрический) преобразователь 2, который излучает плоские продольные волны,...

Номер патента: 1672211

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Карасев, Муссонов, Плацинскис-Язепс, Цалитис

МПК: G01B 15/02

Метки: корректировки, погрешности, сканирующего, толщиномера

...мм переходят в следующую подзону, где набирают число частиц, равное 1000,при этом общее число частиц по двум подзонам будет равно 2000, после чего осуществляют переход к следующей подзоне ит,д. В последующей подзоне также набирают 1000 част., а в общбей сложности по зонебудет набрано 2,1 10 част. Блок 5 управления и обработки информации, получив информацию от блока 3 детектора, определяетвремя 1 сканирования первой зоны (например, 105 с) и запоминает его. Далее производят сканирование оставшихся зон донабора к каждой из них 2,1 10 част, и опребделение времени т их сканирования, Общеевремя сканирования 1155 с или 19,25 мин.Далее посредством блока 5 управленияи обработки информации производится определение средней частоты 1...

Номер патента: 1737398

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Бронштейн, Коршунов, Рондарев, Стафеев

МПК: G02B 26/10

Метки: зеркала, измеритель, положения, сканирующего, углового

...прототипа являются ограниченный угловым полем коллиматора (обычно составляющим не более десятков угловых минут) диапазон измеряемых углов сканирующего зеркала, недостаточное число точек дискретизации углового интервала Й (ограничено числом элементов многоэлементного фотоприемника и) и невозможность дискретизации последнего на произвольное заданное число значений Й,Целью изобретения является разработка измерителя углового положения сканирующего зеркала с увеличенным диапазоном измеряемых углов 2 ро, повышенная информативность эа счет увеличения числа точек дискретизации Й и возможности обеспечения наперед заданного числа й, большего числа элементов приемника п.Цель достигается выполнением отражателя в виде симметричной системы...

Номер патента: 1798833

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Гнидо, Закурдаев, Сурков, Трусов

МПК: H01J 9/02

Метки: микроскопа, острийного, сканирующего, туннельного, эмиттера

...приходился на середину паза 6 держателя 2,В качестве материала заготовки 3 используется стержень из тугоплавкого металла, например, вольфрама диаметром 1,5 мм. Большой диаметр заготовки 3 необходим для обеспечения требуемой жесткости острия,К заготовке 3 к электроду 4 от источника 5 подается рабочее напряжение. Процесс формирования острия проходит в 3 стадии,Первая ступень острия формируется при токе 100 мА и напряжении 10 В. Линия смачивания электролитом заготовки (мениск) поддерживается на постоянном уровне путем опускания штока 9 в электролит, что исключает самопроизвольный сброс мениска.Постоянный контроль за процессом травления ведется с помощью микроскопа, При достижении диаметра заготовки порядка 800 мкм с помощью штока 9 смещают...