Патенты с меткой «полупрозрачной»

Номер патента: 59738

Опубликовано: 01.01.1941

Автор: Немилов

МПК: H01J 9/20

Метки: диэлектрической, металлической, мозаики, подкладке, полупрозрачной

...она величиной сопротивления Кили напряжением источника тока,Однако, значение К должно бытьне меньше 2 - 5, 10 2 так как в противном случае мозаика получаетсяочень крупной и неравномерной. Вообще, чем больше длина искры, т. е.чем выше напряжение источника именьше сопротивление К, тем вышеполучается коэфициент заполнения, новместе с тем увеличиваются неравномерность мозаики и размеры самихэлементов.Для того, чтобы получить равномерную мозаику на большой поверхности, удобно пользоваться электродомв виде металлической пластинки 5, которая, передвигается над слоем (фиг. 2)при помощи червячной передачи. Приэтом край пластинки, обращенныйк мозаике, должен быть очень ровными находиться на расстоянии от слоя неменьше 1 мм, так как иначе...

Номер патента: 94695

Опубликовано: 01.01.1952

Автор: Покровский

МПК: H01B 19/00

Метки: изоляции, ионизации, кабелей, обнаружения, полупрозрачной, прозрачной, процесса, электрических

...11 С(1)сктцых мест в изоляции кабеля илц проводя. В резервуар 17, цаполцегц,ый водой, погружается испытуемый кабель 1 в виде нескольких витков цлц в ви,1 с бухты. ТокопроВодяц(я и(ц;1 Я 1 прОВОдцик) 1 присоединяется к огпюму цз пол(осов источника напряжения, а вола коцтдктируется с другим полюсом. Для НсОЛ 10:СЦЦ 51 Зс ПРОЦСССЯ)1 И ИОЦИЗЯ- ции, происходящими в изоляции кабеля, помещение затемняют. Для облегчения цдблюлеций резервуар ВЫПОГЦ 151 СТС 51 ЦЗ ПРОЗРЯЧЦОГО Мс)ТСРцсГ 11, Д Цс 1,1 НС СГО УСтс)нс)в,1 Ивс(ЕТС 51 зсРедгО, Ьъхтм кбсл 51 цслссообос 13- Цо ) Станс(ВЛЦВЯТЬ В РСЗСРВ ЯР ТДК, чтобы сс мож(к) было повор 51 Вать по отцошецио к цдблюлдтслго для возможности обозрения ее со всех сторон. Поворячивацис может производиться...