Патенты с меткой «полуэлемента»

Номер патента: 1038869

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Бубырева, Дамешек, Елисеев, Зайденман, Передерий, Погребная, Розенблюм

МПК: G01N 27/30

Метки: внутреннего, ионоселективного, полуэлемента, стеклянного, твердофазного, электрода

...используетсяокисная бронза, обладающая электронной и ионной проводимостью одновременно и содержащая те же ионы-носители заряда, что и в мембране. Вследствие этого достигается существенное повышение стабильности показа-ений электрода во времени по сравнению с прототипом,1. Применящциеся для изготовления внутреннего полуэлемента порсыки беРУт с размером частиц 1-10 мкм.Если взять размер частиц менее1 мкм, смесь прошков плохо прессуется и расслаивается вследствие выде,ления воздуха, содержащего в сорбированном состоянии на высокодисперсных порсыках.При размере частиц порсшков более 10 мкм не достигается достаточная однородность смеси, что приводитк плохой спекаемости материала,ухудшению его механических свойстви изменению...