Патенты с меткой «одностороннего»

Номер патента: 2004847

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Горонович, Корнильцев

МПК: F04B 21/04

Метки: буровой, действия, насос, одностороннего, поршневой

...включение в конструкцию насоса дополнительного устройства - рубашки позволяет улучшить монтажеспособность и условия технического обслуживания насоса, а также повысить надежность и долговечность насоса за счет обеспечения оптимального рабочего положения гибких рукавов системы подачи СОЖ;одновременно использование в качестве канала для подвода СОЖ к цилиндропоршневой паре кольцевого пространства, образованного рубашкой, охватывающей шток по всей его длине между опорными буртами сердечника и штока позволяет увеличить надежность и долговечность цилиндропоршневой пары и насоса в целом за 50 55 направлении по обе стороны направляющего отвода, первая ступица в зоне соединесчет исключения из системы подвода СОЖ труб и переходников с...

Номер патента: 1687001

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Горелов, Мольков

МПК: H02K 41/025

Метки: асинхронного, вторичный, двигателя, линейного, одностороннего, элемент

ВТОРИЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ОДНОСТОРОННЕГО ЛИНЕЙНОГО АСИНХРОННОГО ДВИГАТЕЛЯ, содержащий магнитопровод и электропроводную пластину, соединенные между собой принадлежащими магнитопроводу штырями, вставленными в овальные по продольной оси вторичного элемента отверстия в электропроводной пластине, и механизм поджатия электропроводной пластины к магнитопроводу, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, указанные штыри расположены перпендикулярно торцевым поверхностям магнитопровода, электропроводная пластина выполнена с вертикальными отгибами со стороны торцов магнитопровода, а механизм поджатия электропроводной пластины к магнитопроводу выполнен в виде эксцентриков, насаженных на указанные штыри и размещенные в овальных отверстиях...

Номер патента: 1086997

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Нечаев, Романов, Чернявский

МПК: H01L 21/306

Метки: одностороннего, пластин, полупроводниковых, травления

1. Способ одностороннего травления пластин полупроводниковых материалов, включающий нанесение защитного покрытия на рабочую сторону пластины, утоньшение химической или механической обработкой, удаление защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью исключения возможности разрушения пластин и увеличения процента выхода годных, защитное покрытие наносят тремя слоями, первый из которых состоит из полимерного материала, растворимого в органических растворителях, второй из металла и третий из другого полимерного материала, который химически стоек к растворителям первого, а удаление покрытия осуществляют растворителем первого полимерного материала.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве первого слоя используют пленку...