Патенты с меткой «д.н»

Номер патента: 184265

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Борисов

МПК: C01G 49/14

Метки: буряк, в.н, в.ф, владимиров, гиллер, д.н, и.ф, перельмутер, рязанов, сойнов, степанов, черепков, ям

...ии суль 10 Спос лизацие процесс окисью ченного 15 целью пучего 50 не фата жСпособ получения Бее(304), (сульфата железа) нейтрализацией серной кислоты, образовавшейся в процессе производства двуокиси титана, окисгио железа с последующей сушкой полученного продукта известен.Предлагаемый способ отличается от известного тем, что нейтрализацию ведут в присутствии семиводного сульфата железа (Ре 8047 НО). Это значительно упрощает процесс и способствует получению сыпучего, хорошо перерабатываемого продукта.П р и и е р. В поток гидролизной серной кислоты, содержащей 18 - 24% свободной Н 2501 и 15 - 25% сернокислых солей Ре, Т 1, А 1 и других и огарка (Ге Оз) вводят семиводный сульфат железа (1. е 8047 Не 0 - отход производства двуокиси титана)...

Номер патента: 199138

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Бур, Орлов, Осминкина, Перельмутер, Сергеева

МПК: C01G 49/14

Метки: 11ллердг1м.н, гурфинкель, д.н, левин, лизунов, сойиов

...нейтрализации гидролизной кислоты с семиводным сульфатом железа и огарком, к которым добавляют ретур сухого сульфата железа,Для упрощения процесса и получения гранулированного продукта гидролизную кислоту, семиводный сульфат железа и огарок применяют в распыленном состоянии при соотношении 2: 1: 0,5 и температуре не менее 150 200 С.Процесс ведут без ретура, что значительно упрощает его.П р и м е р 1, Семиводный сульфат железа Ге 04 7 Н О смешивают в смесителе с двукратным количеством огарка ЕеОе 10 иин при 20 С. Смесь поступает в печь кипящего слоя, куда впрыскивается форсункой гидролизная кислота, Процесс идет при 200 С 20 ниин; критическая скорость псевдоожижения 0,5 исек. Сульфат выходит с размером гранул до 2 м,н. Его смешивают с...

Номер патента: 370743

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H04N 5/30

Метки: 530удк, 8(088, iшф, библио, всесоюзная, д.н, дубинингипни-11, кл, сна

...включено полупрозрачное зеркало 12, выполненное подвижным относительно синтезирующей плоскости 10. Питаются ячейки от источника напряжения 11.В режиме прямого гашения устройство работает следующим образом. Изображение проецируется на синтезирующую плоскость 10 в двух полосах спектра, излучаемых источником света 1. Изображение расщепляется призмой 8 на два одинаковых изображения, каждое из которых проходит через узкополосные оптические фильтры 4, 5, отклоняется зеркалами 8, 9 и формируется оптическими системами б, 7.Для воспроизведения эффекта гашения используют шунтирование электролюминисцентного конденсатора 18 фоторезистором 14. В -этом случае управление осуществляется двумя световыми потоками, один из которых (возбуждающий)...