Патенты с меткой «cmojt»
Способ отверждения эпоксиднь1х cmojt и композиций на их основе
Номер патента: 243832
Опубликовано: 01.01.1969
МПК: C08G 59/42
Метки: cmojt, композиций, основе, отверждения, эпоксиднь1х
...267 Составитель О. Цы пкй нйТехред А. Я. Аевина Корректор . П. Шильмай Редактор Л, Новожилова Заказ 2448/4 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр, Сапунова, 2 Диэлектрические характеристики предложенных композиций в отвержденном состояниина один-два порядка превышают аналогичныепоказатели эпоксикомпозиций на основе эндикового и др. ангидридов при повышенных температурах.Ангидридполисилоксаны практически совсеми ангидридами дикарбоновых кислот дают однородные стабильные растворы, Приотверждении такими растворами эпоксидныхсмол получают материалы с улучшеннои термостабпльностью по сравнению с аналогичными материалами на основе известных...