Патенты с меткой «атомах»

Номер патента: 1822966

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Потапов

МПК: G01N 27/22

Метки: атомах, зарядов, парциальных

...СеН 5 Х).Меняя заместительХ этого ряда, можно варьировать эффективный заряд на его поверхности. Определяя зависимость тою (г-х) от длины связи между заместителем и атомом, с которым он связан ( в случае ряда СвНвХ - это атом водорода). можно экстраполировать зависимость юоо(гс-х) на недипольную структуру (в нашем примере- молекулу бенэола. для которой гс-х гс-н). Этой процедурой достигается разделение времени релаксации тоо на составляющие,20 25 30 35 40 45 соответствующие диэлектрическомурению на поверхности заместителя Х и на остальной поверхности дипольной молекулы. В результате такой экстраполяции получают величины оооо (гс-н)- гп гоо(гс-х), которая хах- нрактеоизует гипотетическое время релаксации недипольной молекулы в...