Патенты с меткой «411555»

Номер патента: 411555

Опубликовано: 15.01.1974

МПК: H01P 11/00

Метки: 411555

...кристаллографических осей не меньше ":1, подвергают механической обработке с целью получения рабочей поверхности 2 и базовой грани 3 (фиг. 2).При этом операции точного ориентирования20 этих граней по отношению к осям кристалла непроизводят.Пластину с обработанной рабочей поверхностью 2 и оазовой гранью 3 совмещают с элементом 4 для бесконтактного возбуждения и25 приема поверхностных волн устройства измерения скорости. Пластину располагают по отношению к элементу 4 для бесконтактного возбуждения и приема поверхностных волн такимобразом, что можно произвести точный отсчет30 угла сс между базовой гранью 3 пластины 1 и41155 о Фиг Фге Я овалев Составитель Заказ 116779 ЦНИИПипография, пр. Сапунова, 2 3осью МЛ (фиг. 3) элемента 4....