Патенты с меткой «154414»

Номер патента: 154414

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: B21B 3/00, B22D 11/06

Метки: 154414

...нз принципе быстрой кристаллизации, в результате которой развивается высоК 1 эистяллзяционое давлен 1 с, препятств 1 юшес включению в Яешстку кристалла других примесей. Применение его позволит экономить полупроводниковый материал и получать слои сплава с гысокой подвихкиостью носителей тока.Дся осуществления спосооа необходимое количество сплава индий -- сурьма быстро 1 эасплаВляют до 700=С со скоростью ПЯГрсва до этой температуры 30 - 60 сек., далее расплав перегреваот на 100 - 200 выше течпературы плавления и выливак)т ня вяльць, врашаюшиеся со скоростью 6000 - 7000 об(тик. Диаметр вальцов 60 з 1,. Те.;пературя Вальцов дол)кга Оыть комнатной. Все ОпераП 1 и п 1)ОВОдят В атмосфере аргоия. Г 1 озученные в результате проката тонкие...