407979

4079 ОП ИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликАВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ зависимое от авт, овидетельстваЗаявлено 24.1.1972 ( 1740154/22-1с присоединением заявки-Приоритет -М, Кл, С 23 Ь 5/68 В 011 3/00ударстеенный комитетвета Министров СССРо делам изооретенийи открытий 621.793,3.669.0 :66,084 (088,8) Опубликовано 10,Х 11.1973. БюллетеньДата опубликования описания 11.11.1974 Авторыизобретения Иудьга и В. И. Тюхал Заявитель ОЙСТВО Д В УЛ ЕКТРООСАЖДЕН ИЯ МЕТААЗВУКОВОМ ПОЛЕ 25 Изобретение относится к области гальваностегии и может быть применено для осаждения металла в ультразвуковом поле.Известно устройство для электроосаждения металла в ультразвуковом поле, содержащее ванну и магнитостриктор, подключенный к генератору с регуля 1 ором числа посылок импульсов.Предлагаемое устройство отличается тем, что оцо снабжено программным блоком, вход которого подключен к электронным весам с эталонной пластиной, а выход - к регулятору числа посылок импульсов, регулятором интенсивности ультразвуковых колебаний и регулятором катодцой плотности тока, причем выходы программного блока и регулятора интенсивности ультразвуковых колебаний подключены к генератору, а выход регулятора катодцой плотности тока - к электродам ванны. Это повышает производительность процесса.На фиг, 1 изображена блок-схема предлагаемого устройства; ца фиг. 2 - программный блок, электрическая схема; на фиг. 3 - график работы устройства; на фиг. 4 - программы возможного режима устройства.Устройство состоит из программного блока 1, соединенного со входами регулятора 2 количества посылок импульсов, регулятора 3 интенсивности ультразвуковых колебаний и регулятора 4 катодпой плотности тока. Выходы регуляторов 2 и 3 подключены нагходы импульсного генератора б, выход которого соединен с магцитостриктором 6, установленным ца электролитической ванне 7.и В последней установлены также электроды8 и 9, соединенные с выходом регулятора 4.Вход программного блока 1 подключен кэлектронным весам 1 О с эталонной пластиной11, Выход весов соединен через эмиттерные10 повторители с полупроводниковыми потенциометрами Аь Аъ А и релейными схемами БьБе и Бе. Потецциометры Аь А, и Аз включаютв схемы регулируемые сопротивления, номиналами которых они отличаются друг от друга, а1 ь в остальном принципиально одинаковы. Например, потецциометр А, включает в схему Б 1сопротивления Л 1 и РР.На выходе каждого потецциометра подключен переключатель программ,20 Выходы а и б потенциометра А, подключенычерез нормально разомкнутые контакты релеР, к одной клемме трехпозициоццого переключателя П, программ и непосредственно к другой клемме этого же переключателя.В случае большего числа программ переключатель П 1 может быть с большим числомпозициц. К последней клемме переключателяП 1 подключены через нормально замкнутый инормально разомкнутый контакты реле Р,30 регулируемые сопротивления Рз и Я 4. Выходмере увеличения выходного сигнала весов плавно изменяются частота посылок, интенсивность ультразвуковых колебаний и катодная плотность тока, т. е. получим покрытие, 5 которое меняет свои физико-механическиесвойства от толщины покрытия,Программа 111. В исходном состоянии крегуляторам подключено сопротивление Ю т. е. покрытие наносят с постоянными пара метрами (например, твердое покрытие). Помере увеличения веса эталонной пластины увеличирается выходной сигнал и по достижении заданного уровня срабатывает реле Р. Тогда к регуляторам подключается через нормально 5 разомкнутые контакты полупроводниковыйпотенциометр Аь после чего программа нанесения металла соответствует программе 11, т. е, мы имеем например, у основания твердое покрытие, а к периферии покрытие, которое плавно меняет свои физико-механические свойства в сторону постепенного смягчения. Эту программу целесообразно использовать в случае ремонта или восстановления деталей. переключателя подключен к регулятору 3 интенсивности ультразвуковых колебаний, представляющему собой управляемые выпрямители на кремниевых управляемых вентилях (тиристорах) Й и В,. Тиристоры 0 и 0 использованы с высоким прямым напряжением.Устройство может работать по трем программам.П р о г р а м м а 1. После общеизвестной при электроосаждении металлов подготовки до полнительно переключатель П, ставят на первую программу. Эталонную пластину опускают в электролит. После чего на устройство подают напряжением. В результате электролиза на пластине осаждается металл, вследствие чего рычаг электронных весов опускается, изменяя гропорционально выходной сигнал. Поскольку нормально разомкнутый контакт реле Р, разомкнут, а сигнал от электронных весов недостаточен для срабатывания указанного реле, то к схемам устройства подключено сопротивление Р 4, т. е. выполняется программа верхнего условия (см. фиг. 3, график 1). По мере изменения веса эталонной пластины изменяется выходной сигнал с электронных весов и по достижении заданного уровня реле Р срабатывает, самоблокируется и подключает к схеме своими контактами сопротивление Рз.В это время реализуется. программа нижнего уровня этого графика. 30Таким образом, можно отнести двухслойное покрытие с резкими переходами от одних параметров к другим, Можно выполнить плавный переход от одних параметров к другим, например от твердых к плавно мягким (см. фиг. 3, график 11) .Программа 11. В исходном состоянии релейный блок отключен, а полупроводниковый потенциометр Аподключен непосредственно к схемам управления. Тогда по мере 40 изменения веса эталонной пластины, т, е. по Предмет изобретенияУстройство для электроосаждения металла в ультразвуковом поле, содержащее ванную и магнитостриктор, подключенный к генератору с регулятором числа посылок импульсов, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности процесса, оно снабжено программным блоком, вход которого подклю.еп к электронпьв весам с эталонной пластиной, а выход - к регулятору числа посылок импульсов, регулятором интенсивности ультразвуковых колебаний и регулятором катодпой плотности тока, причем выходы программного блока и регулятора интенсивности ультразвуковых колебаний подключены к генератору, а выход регулятора катодной плотности тока - к электродам ванны.407979 Составитель Л. Анисимоваедактоп Т. Фауеева Техреду Е, Борисова Корр Хмелева олппспое 1 ИИПИ Г строп пзобос погпифип К озполиграфпрогиа, Москва, 1210 9, ул. й 1 арксп - Зпге и св зл. Мо 264 сли пстве; по велас осипа, 5