Способ измерения показателя поглощения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(Я)4 С 01 Н 21/59 ДОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСНОМУ С ЕЛЬСТВ иаюто 0укторскоеографииСССРЧудаковнов Е,МА,М. Измерепоглощенияим методом.1976, т.3,х Лисицедованиов КРС ктра.5, т. 2 57) СПОСОБ ИЗМЕРЕНЩЕНИЯ, включающийного пучка через иопараллельнув пласее поверхности, ос я тем, что, с(54) ПОГЛ ИЯ ПОКАЗАТЕЛЯропусканиеотропнуюину нормалл и ч а юелью повылаз е ения лос щность лазера;емя с начала воздейст но щ и лазера. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬДИЙ(71) Специальное констрбюро Института кристаллимени А.В. Шубникова АН(56) Брюшкова Т.И., ДнаНикитин Е.П., Прохоровние малых коэффициентовстекол калориметрическКвантовая электроника,У 11, с. 2500.Дарвоид Т.И., КарловаКарлов Н.В Кузьмин Г.П,кий И.С.,;Сисакян Е.В. Исснекоторых свойств кристаллв 10-микронной области спКвантовая электроника, 19У 4, с. 765шения точности, чувствительности быстродействия, пластину подверг одноосному нагружению и синхронн с воздействием лазера измеряют угол поворота главных направлений в точке, расположенной на прямой, про одя щей через место воздействия лазера и составляющей угол 45 с направлением нагружения, и определяют показатель поглощения по формуле:1 Тс 9- мжгде 6 - величина напряжений, обуслоленная внешней нагрузкойр - угол поворота главных направлений под действием лазера;Е - модуль Юнга;- коэффициент линейного расширения;" удельная обьемная теплоемкость;г - расстояние между местом лазерного воздействия и местом95159 2действия лазера и составляющей угол45 с направлением нагружения, и определяют показатель поглощения последующей формуле;5Тг 7НАЕВ Изобретение относится к измерительной технике. Оно может быть использовано для контроля качества. прозрачных оптически изотропных материалов, таких как стекла, керамика, кристаллы кубической сингонии, а также при производстве оптических элементов из этих материалов, напри" мер элементов силовой оптики.Известен способ измерения показателя поглощения, основанный на калориметрическом эффекте. В данном способе через цилиндрический образец или круглую пластину непрерывно пропускают лазерный луч мощностью от нескольких ватт до нескольких десятков ватт. Этот луч нагревает образец за счет частичного поглощения излучения лазера, и происходит повышение температуры образца. Измеряя приращение поверхностной температу" ры и используя данные о теплоемкости образца и постоянной времени остывания, определяют показатель поглощения.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу является способ измерения показателя поглощения, включающий пропускание лазерного пучка через изотропную плоскопараллельную пластину нормально к ее,поверхностиЭтот способ основан на измерениях поверхностной температуры, в результате чего возникают большие погрешности, обусловленные недостаточным тепловым контактом термометра с поверхностью пластины и значительным поверхностным теплоотводом. Кроме того, в этом методе можно реализовать только интегральные измерения показателя поглощения, причем одно измерение занимает значительное время (несколько минут).Целью изобретения является повышение точности, чувствительности и быстродействия.Указанная цель достигается тем, что в известном способе измерения показателя поглощения, включающем про пускание лазерного луча через изотропную плоскопараллельную пластину нормально к ее поверхности, пластинку подвергают одноосному нагружению и синхронно с воздействием лазера измеряют угол поворота главных направлений в точке, расположенной на прямой, проходящей через место возгде 6 величина напряжений, обусловленная внешней нагрузкой;1 ОД - угол поворота главных направлений под действием лазера;Е - модуль Юнга;6 - коэффициент линейного расширения;15 Ф - удельная объемная теплоемкость;г - расстояние между местом лазерного воздействия и местомизмерения;Ы - мощность лазера;1 - время с начала воздействиялазера.На чертеже приняты следующие обо-значения:Р - внешняя нагрузка, г - расстояние между местом лазерного воздействия и местом измерения; М - уголнаблюдения, изотропная пластина 1,.место 2 измерения, место 3 лазерного воздействия, пластины 4,Способ состоит из 4 операций,К боковым торцам изотропной пластины 1 прикладывают через пластины 4внешнюю нагрузку Р, создающую одно 35 осное напряжение, величина которогоизменяется в зависимости от свойствизмеряемой изотропной пластины отО, 1 до 0,3 кг/см 2. Не снимая внешней нагрузки, через изотропную40 пластину 1 нормально к ее поверхности в точке 3 пропускают лазерныйлуч. На расстоянии г от места лазерного воздействия (около 1 см) синхронно с воздействием измеряют угол45 поворота главных направлений индикатриссы, используя визуальные илифотоэлектрические методы регистрации изоклин. Для повышения чувствительности и существенного упрощения-50 последующей математической обработки результатов место для измеренияугла поворота главных направленийиндикатриссы выбирают на прямой,проходящей через место лазерного55 воздействия 3 и составляющей уголоФ=45 с направлением. внешнего меха-.нического воздействия. По величинамвнешней нагрузки, угла поворота,35 мощности лазера определяют локальные значения для показателя поглощения, характеризующие свойства в местах воздействия лазера.При первой операции - приложе нии одноосной нагрузки к боковым торцам изотропной пластины 1 - в ней возникает одноосное напряженное состояние, которое, будучи приведенным к главным осям, описывается тензором второго ранга: Р - внешняя нагрузка; Я - площадь, к которойприложена внешняянагрузка,20 Не снимая внешней нагрузки Р,через изотропную пластину 1 пропускают лазерный луч под действиемкоторого в ней (в результате локального нагрева) дополнительно наводят-.ся термические упругие напряжения,которые можно описать с помощью ра;диальной 8 и тангенциальной 6,составляющих. Наведенные лазером напряЭОжения в произвольной точке плаСтины описываются тензором, которыйпосле приведения к координатным .осям первого тензора имеет вид: М д 6 С р.л 5;) У)р-Я)5 ю 2 Ч О (6-3"11,2 ф браню +Всей Р О О О О, ф.4 О в результате сложения напряжений отвнешней нагрузки с термонапряжениямив-пластине 1 возникает плоское напряженное состояние, которое описывается тензором:(бфбесиеФ+81 ьдфФ)-(В "6)вп 2 у О6;я)й ф(бр 8",)мвйч (Ь;нффбвсезф ) ооо50 В общем случае главные оси суммарного тенэораЯ ) не совпадают1 Дг.с главными осями тензора 8,ДУгол, на который повернулись глав :55 ные оси эллипсоида напряжений после лазерного воздействия на пластину 1, описывается. выражением: 8 г Вл) э;и 2,Р 1 Я 2 В: (ц) б+(б - 6, ) со э 2 ЧЕсли для регистрации угла поворота выбрать точки 2, лежащие на прямой, проходящей через место 3 воздейсто вия лазера под углом Р =45 к направлению нагружения Р, то формула 4 упрощается и принимает следующий вид: Упругие напряжения являются источником оптической анизотропии в аморфных и оптически изотропныхобъектах - кристаллах кубической сингонии, Наведенную оптическую ,анизотропню легко выявлять в поляриэованном свете по интерференционным картинам, которые наблюдают иливизуализируют с помощью полярископов. При работе с линейным скрещенным полярископом минимальная яркостьточки в интересующем нас месте интерференционной картин, в частности, соответствует положению, прикотором направление максимального пропускания поляризатора параллельноодному иэ главных направлений, например направлению быстрой оси. В оптически изотропных материалах (стеклах, керамике, а также в кристаллических пластинах, вырезанных определенным образом) главные направленияиндикатриссы совпадают с главнымиосями тензора напряжений. Это свойство используется в предложенном способе в операции измерения угла поворота главных осей тензора напряжений.В зависимости от используемого способа регистрации оптической анизотропии угол поворота(а он изменяетсяво времени по мере воздействия лазера) может измеряться или визуализироваться с применением полутеневыхустройств, или фотоэлектрически,например в полярископах с вращающимся анализатором, путем автоматической регистрации фазы модулированногосигнала на ленте самописца.Используя выражение для радиальных В и тангенциальных 6 составляю.щих напряжений, возникающих при лазерном воздействии на прозрачныеобъекты,795159 20 Редактор О. Кузнецова ТехредС.Мигунова Корректор.С. Шекмар Заказ 1167/2 Тираж 778 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д, 4/5 . Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 можно показать, что в течение времени распространения тепловой волны от места 3 воздействия лазера до интересующего нас места 2 измерения, т.е. когда выполняется условие, при котором приращение температуры равно ЕТ= ехр (- - в , ), разность на 1 хЕ 1 г(Ь 6;(: ",(7)% у где Е - модуль Юнга;ь - коэффициент линейного расширения;9 - усредненное по толщине значение температуры;- Радиус пластины;г - расстояние от центра лазерного пучка до интересующегонас места,"в время воздействиялазера;( - объемная удельная теплоем,коств; 35К - показатель поглощения;Ю - мощность излучения лазера.Решая совместно уравнения 7 и 5, получаем формулу для расчета показателя поглощения К по предложенному 40 способу:Д Я.рк-бР - (8(К Е ЙВ кристаллах, как правило, при произвольной ориентации пластин глав 45 ные направления индикатриссы не совпадают с главными осями эллипсоида напряжений. Это свойство обусловлено анизотропией фотоупругой констан" ты кристалла. Поэтому за исключени-.ем пластин, вырезанных перпендикулярно оси С 111, для которых полностьюреализуются условия описанного мето.да, и следовательно, формула 8, прирасчете показателя поглощения в пластинах лроизвольной ориентации необ- .ходимо знать пьезооптические константы кристалла 11(, и .(,-1 Я . Длянаиболее простого случая анизотропии - пластина выколота по плоскости (100) иэ кубического кристаллаклассов ш 3 ш, 432 и 43 ш (к нимотносятся наиболее широко применяемые на практике кристаллы КСЗ,.ЮаСГ, ЬдР, СаР , ВаР, КРС=5,КРС=6, Се и т.д,) формула 8 принимает вид:Э-Т., ИА ЕДля других ориентаций пластин 1множитель, содержащий пьезооптические коэффициенты, имеет более сложный вид и представляетразличныекомбинации коэффициентов 1,(,.и(ц -Т( ),Сравнительные испытания данногоспособа показали, что он позволяетповысить точность измерений и быстродействие, а также реализовать.возможность измерений локальных эна".чений показателя поглощения в различных точках объекта, используя эффектнаведения термоупругих напряженийв объеме оптически изотропногообъекта посредством воздействиялазерного луча мощностью от нескольких ватт до нескольких десятковватт. Кроме того, при основных измерениях, связанных, с определениемугла поворота осей индикатриссы,исключаются измерения интенсивностейсвета, что также способствует повышению точности измерений(. В.предложенном способе исключено влияние фотоупругих констант на точность измерений.
СмотретьЗаявка
2747076, 05.04.1979
СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО ИНСТИТУТА КРИСТАЛЛОГРАФИИ ИМ. А. В. ШУБНИКОВА
ПРАВЕ Г. Г, ЧУДАКОВ В. С
МПК / Метки
МПК: G01N 21/59
Метки: поглощения, показателя
Опубликовано: 15.03.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-795159-sposob-izmereniya-pokazatelya-pogloshheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения показателя поглощения</a>
Предыдущий патент: Устройство для измерения диэлектрической проницаемости материалов
Следующий патент: Скважинный влагомер
Случайный патент: Устройство для определения влажности пара