Формирователь импульсов

Тг) ВМЙ 2 Союз Соаетскии Соцналмстмцескик Республик,Ке оудорстоенный комитет СССР о делам изооретений и открытийБюллетень13 3) УДК 621 (088,8) сания 07.04,79 опубликования 2) Авторы иэобретени 3. Иваннико Й. Кравцов и Ю, Т оров аявител ОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСО стро наде еннаяинтеграииН зобремировае щий тр тел ьнь образо втор таким, что эмитте ключ ающе аЗой управпяюше езистор - с его равляющего трантранзго трэмитте стора соединен с нзистора и через ром, коллектор у 3) Приоритет - Опубликовано 05,04 Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и предназначено для подачи тока в нагрузку при одном определенном сочетании логических сигналов на входах и обеспечения регулируемого потенциала на выходе для всех остальных комбинаций логических сигналов на входе. Оно может быть, в частности, использовано для выбора строки в матрице памяти ОЗУ и установления потенциала хранения для ячеек матрицы.Известен формирователь импульсов, в котором вход соединен с эмиттером входного транзистора, база которого через резистор подключена к положительномуЭполюсу источника питания, а коллектор соединен с базой переключающего транзистора, Коллектор переключающего транзистора через резистор связан с нагрузкой и эмиттером повторительного тран 2 О зистора. Эмиттер переключающего транзистора соединен с базой управляющего транзистора и через резистор - с его эмиттером, с отрицательным пощосом источника питания и с нагрузкой. Коллектор управляющего транзистора связан с базой повторительного транзистора, с коллектором ускоряющего транзистора и через резистор - с положительным полз сом источника питания. Коллектор повто,рительного транзистора соединен с базой ускоряющего транзистора, эмиттер которого подключен к положительному пощосу источника питания 1.Недостатком данного формирователя является относительная сложность пония и, как следствие, пониж ость и невысокая степеньго в интегральном исполнебонее близким к данномуявляется двухвходовый фомпульсов, содержащий перанзистор, управляющий итй транзисторы, соединенньзистора подключен к базе повторительного транзистора и через резистор - кположительному полюсу источника питания, в то время как коллектор переключающего транзистора связан с эмиттером %повторительного транзистора 2 .Недостатком формирователя являются"тносительно низкое быстродействие илалая нагруэочная способность,Белью изобретения является повышение 1 Обыстродействия формирователя и увеличение его нагруэочной способности.Поставленная цель достигается тем,что в формирователь импульсов, содержащий М входных цепей, два транзистора ф 5разной проводимости в тиристорном вкцючении и два резистора, введена К - 1пара транзисторов разной проводимостив тиристорном включении, причем входыформирователя подключены к соединению 2 Околлектора р-л-р транзистора с базойп-р-и транзистора,. коллекторы р-р.п и базы)Э-И-Я транзисторов соединены вместе,эмиттеры и-р-и транзисторов подключенык шине нулевого потенциала, а эмиттерыр-итранзисторов объединены и черезпервый резистор подключены к выходу,формирователя, который через второй резистор соединен с шиной питания.Формирователь импульсов показан на Зочертежах. На фиг. 1 изображен двухвходовый двухканальный формирователь; на фиг, 2- отдельный элемент; на фиг. 3 - формирователь импульсов для выборки строки в матрице памяти ОЗУ, содержащий К входных цепей; на фиг, 4 - временные диаграммы прохождения импульсных сигналов на входах и выходе устройства;Элемент, изображенный на фиг. 2, содержите-р-г 1 переключающий транзистор ир-и-р инжектирующий транзистор, Вход формирователя подключен к объединению базы переключающего и коллекто 45 ра инжектирующего транзисторов, база инжектирующего транзистора - к коллектору переключающего, эмиттер которого соединен с общей шиной. Двухвходовый двухканальный формирователь может осу 50 ществлять выборку строки в матрице памяти ОЗУ на 256 бит (организация матрицы 16 строк х 16 разрядов), Для выборки строки в матрице памяти на 1024 бит (органиэация матрицы 32 строки х 32 разряда) к двухканальному формирователю подключается еше один элемент (канал), показанный на фиг. 2. В результате получается трехвходовый трехканальный формирователь,Бля выборки строки в матрице памяти ОЗУ с более высокой организациейтребуется подключение соответствующегочисла элементов (каналов), показанныхна фиг, 2,формирователь содержит в каждом канале л-р-и переключающий транзистор 1база которого объединена с коллектором инжектируюшего транзистора 2К ним подключен вход формирователя 3 .Коллектор транзистора 1 объединен сбазой транзистора 2 . Эмиттер транзистора 1, подключен к общей шине. Эмиттеры транзисторов 2, 22, соединены и через резистор 4 подключены квыходу 5 формирователя, к которому через резистор 6 подключен источник питания 7.Базы транзисторов 2 12 и коллекторы транзисторов 1объединены,Рассмотрим работу устройства на примере двухканального двухвходового формирователя,Пусть ко входам 3 и 3, приложенвысокий потенциал, Через переход базаэмиттер транзисторов 1 и 1 протекаетсуммарный коллекторный ток инжектируюших транзисторов 2и 2 обоих каналов и ток,текущий по соответствующемувходу. Транзисторы 2 и 2 открываются, и ток от источника питания 7через резисторы 6 и 4, переход эмиттер-база транзисторов 2, и 2, насыщенные транзисторы 1 и 1 замыкаетсяна общую. шину. Уровень напряжения на выходе 5 формирователя равен падению напряжения нарезисторе 4, транзисторах 1, 1 и2 , 2 , и допускает регулированиеизменением величины резистора 4,Если на вход 31 подать высокий потенциал а на вход 3, - низкий то состояние левого канала не изменяется.Ток от источника питания 7 протекаетчерез резисторы 6 и 4, транзисторы1 и 2 левого канала ыа общую .,шину.Инжектируемый транзистором 2правого канала ток замыкается на общуюшину через открытую низким потенциаломвходную цепь по входу 3 . На выходе 5устройства устанавливается уровень напряжения за счет тока, протекающегочерез ожрыжй левый канал,656192 Состояние выбора, при котором ток протекает в нагрузку, соответствует низкому уровню потенциалов на входах 3 и 3, Ток, инжектируемый транзисторами 2, левого и 2 правого каналов, замыкает я через входы 31 и 32 на общую шину. Низкий коэффишеент усиления транзисторов 2 е и 2 ограничивает ток, протекающий по цепи; резистор 4, транзисторы 2 и 2 и входы 3 , 3 на общую шину, Основной ток от источника питания 7 через резистор 6 протекает к нагрузке, подключенной к выходу.Следовательно, только определенная комбинация входных сигналов (логический фОф на входах З,е и 3 ) устройства обеспечивает передачу тока в нагрузку. Остальные сочетания входных сигналов определяют появление на выходе устройства напряжения, соответствующего потенциалу хранения в ячейках памяти.Таким образом, чтобы обеспечить протекание тока в нагрузку, необходимо лишь запереть транзисторы 1 е , 11 формирователя, Так существенно повышается быстродействие устройстваУстройство может быть использовано ие только как формирователь, но и как источник напряжения хранения для ячеек памяти матрицы, что расширяет его функциональные возможности.Интегральное исполнение устройства на р-л-р и п-о-еч транзисторах с совмещенными областями позволяет умень шить число элементов, межсоединений и количество контактных соединений, что способствует повышению надежности устбройства, Выполнение активных элементовустройства в общей изолированной области приводит к повышению степени егоинтеграции на кристалле,й Использование резисторов в выходнойцепи определяет широкий диапазон нагрузочных токов формирователя,16 Формула изобретения формирователь импульсов, содержащийЯ входных цепей, два транзистора разной проводимости в тиристорном включении и два резистора, о т л и ч а ю - ш и й с я тем, что, с целью повьппения быстродействия и нагрузочной способности, в него введена М -1. пара транзисторов разной проводимости в тирий сторном включении, причем входы формирователя подключены к соединению кол лектора р-й.-р транзистора с базой д-р-ее транзистора, коллекторы и-р-и и базы р-и-р транзисторов соединены вмес-.те, эмиттеры п-р-ее транзисторов подключены к шине нулевого потенциала, а эмиттеры р.ее-р транзисторов Объединены и через первый резистор подключены к выходу формирователя, который через второй резистор . соединен с шиной питания,Источники информации, принятые во.внимание при экспертизе1. Шагурин И. И. Транзисторно-транзисторные логические схемы, М, Советское радио, 1974, с. 42, рис, 1, 29 а.2, Авторское свидетельство СССР